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... La serie S16008 è un fotodiodo Si a montaggio superficiale con elevata sensibilità nella regione del visibile e del vicino infrarosso. La sensibilità è superiore a quella della precedente serie S2387. Caratteristiche -Alta ...
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... Questo fotosensore ad alta velocità è stato sviluppato per la comunicazione in fibra ottica nella banda di 0,85 µm. Questo fotodiodo Si PIN di tipo receptacle è compatibile con la fibra ottica multimodale GI-50. Caratteristiche - ...
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... Si tratta di fotodiodi a pacchetto prestampati che offrono una bassa corrente di buio. La luce parassita incidente dal lato e dal retro della confezione all'area fotosensibile è minima e questi fotodiodi ...
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... Fotodiodo per fotometria generale nel visibile e nel vicino infrarosso L'S16008-33 è un fotodiodo di tipo Si a montaggio superficiale con alta sensibilità nella gamma dal visibile al vicino infrarosso. ...
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... Alta tolleranza agli UV, fotodiodi per il monitoraggio degli UV La serie S12698 sono fotodiodi al Si che hanno raggiunto un'alta affidabilità per il monitoraggio della luce ultravioletta impiegando una ...
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... Fotodiodo Si PIN di grande area per il rilevamento diretto delle radiazioni L'S13993 è un fotodiodo PIN al Si di grande superficie non sigillato per il rilevamento diretto delle radiazioni. Poiché l'area ...
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... Rilevatori Si per particelle ad alta energia La serie S14536 è costituita da fotodiodi di grande superficie specificamente progettati per il rilevamento diretto di particelle cariche ad alta energia e raggi X. Questi ...
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... Rilevatori Si per particelle ad alta energia La serie S14537 è costituita da fotodiodi di grande superficie specificamente progettati per il rilevamento diretto di particelle cariche ad alta energia e raggi X. Questi ...
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... Fotodiodo Si PIN di grande area per il rilevamento diretto delle radiazioni L'S14605 è un fotodiodo Si PIN di grande superficie non sigillato per il rilevamento diretto delle radiazioni. Può rilevare ...
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... Fotodiodo in Si per fotometria dal visibile all'infrarosso L'S15137 è un fotodiodo PIN in Si sviluppato per laser YAG (1,06 µm). La fotosensibilità a 1,06 µm è di 0,52 A/W (tip.), che è circa 1,5 volte ...
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