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Fotodiodo in silicio S16008
a infrarossi

Fotodiodo in silicio - S16008  - HAMAMATSU - a infrarossi
Fotodiodo in silicio - S16008  - HAMAMATSU - a infrarossi
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Caratteristiche

Specificazioni
in silicio, a infrarossi

Descrizione

La serie S16008 è un fotodiodo Si a montaggio superficiale con elevata sensibilità nella regione del visibile e del vicino infrarosso. La sensibilità è superiore a quella della precedente serie S2387. Caratteristiche - Alta sensibilità nella regione del visibile e del vicino infrarosso - Bassa corrente di buio - Linearità superiore - Compatibile con la saldatura a riflusso senza piombo Specifiche tecniche Area fotosensibile - 5,8 × 5,8 mm Confezione - Vetro epossidico Categoria della confezione - Tipo a montaggio superficiale Raffreddamento - Non raffreddato Intervallo di risposta spettrale - Da 380 a 1100 nm Lunghezza d'onda di picco della sensibilità (tipica) - 960 nm Fotosensibilità (tipica) - 0,64 A/W Corrente di buio (max.) - 50 pA Tempo di salita (tipico) - 9,0 μs Capacità terminale (tipica) - 4000 pF Potenza equivalente al rumore (tipica) - 2,0×10-15 W/Hz1/2 Condizioni di misura - Ta=25 ℃, Tip., Fotosensibilità: λ=λp, Corrente di buio: VR=10 mV, Tempo di salita: VR=0 V, RL=1 kΩ, da 10 a 90%, Capacità terminale: VR=0 V, f=10 kHz, Potenza equivalente al rumore: VR=0 V, λ=λp, se non diversamente specificato

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