Fotodiodo in silicio S16008-66

a infrarossi

La serie S16008 è un fotodiodo Si a montaggio superficiale con elevata sensibilità nella regione del visibile e del vicino infrarosso. La sensibilità è superiore a quella della precedente serie S2387. Caratteristiche -Alta sensibilità nella regione del visibile e del vicino infrarosso -Bassa corrente di buio -Linearità superiore -Compatibile con la saldatura a riflusso senza piombo Specifiche tecniche - Area fotosensibile: 5,8 × 5,8 mm - Numero di elementi : 1 - Confezione : Vetro epossidico - Categoria della confezione : Tipo a montaggio superficiale - Raffreddamento : Non raffreddato - Intervallo di risposta spettrale : 380 - 1100 nm - Lunghezza d'onda di sensibilità di picco (tipica) : 960 nm - Fotosensibilità (tipica) : 0,64 A/W - Corrente di buio (max.) : 50 pA - Tempo di salita (tipico) : 9,0 μs - Capacità terminale (tip.) : 4000 pF - Potenza equivalente al rumore (tipica) : 2,0 × 10-15 W/Hz1/2 - Condizioni di misura: Ta=25 ℃, Tip., Fotosensibilità: λ=λp, Corrente di buio: VR=10 mV, Tempo di salita: VR=0 V, RL=1 kΩ, da 10 a 90%, Capacità terminale: VR=0 V, f=10 kHz, Potenza equivalente al rumore: VR=0 V, λ=λp, se non diversamente specificato