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Sistema di ispezione di difetto di superficie Teron™ 600
per la produzione

Sistema di ispezione di difetto di superficie - Teron™ 600 - KLA Corporation - per la produzione
Sistema di ispezione di difetto di superficie - Teron™ 600 - KLA Corporation - per la produzione
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Caratteristiche

Tipo
di difetto di superficie
Applicazioni
per la produzione

Descrizione

La linea di prodotti Teron™ 640e per l'ispezione dei reticoli consente di migliorare lo sviluppo e la qualificazione dei reticoli di punta con pattern EUV e 193nm nei negozi di maschere, rilevando i difetti critici di pattern e particelle. Utilizzando le modalità die-to-database o die-to-die, questi sistemi di ispezione sono progettati per gestire l'ampia gamma di materiali in pila, strutture curvilinee e OPC complesse caratteristiche degli ultimi nodi di dispositivo a 2 nm e oltre. Il Teron™ 647eS2 incorpora diversi miglioramenti nell'ottica e nell'elaborazione delle immagini che supportano le specifiche di acquisizione dei difetti e la produttività necessaria per accelerare i tempi dei cicli di produzione dei reticoli. Inoltre, Teron 647eS2 utilizza l'algoritmo di deep learning AI di seconda generazione, X30, convalidato nella produzione dei clienti a 2 nm. La linea di prodotti Teron 640e soddisfa i severi requisiti di pulizia necessari per la produzione di maschere EUV. Gli aggiornamenti di campo a Teron 647eS2 sono disponibili per i modelli Teron 647e e Teron™ 647eS. Applicazioni Qualificazione del reticolo, controllo del processo del reticolo, monitoraggio delle apparecchiature del processo del reticolo, controllo della qualità del reticolo in uscita Prodotti correlati Teron 640: standard di produzione industriale per l'ispezione di reticoli ottici e EUV al nodo 10nm e oltre. Teron 630: Standard di produzione industriale per l'ispezione di reticoli ottici e EUV a 1Xnm / 2XHP. Teron 610: standard di produzione industriale per l'ispezione di reticoli ottici 2Xnm / 3XHP. TeraScan™ 500XR: standard di produzione industriale per l'ispezione di reticoli ottici 3Xnm / 4XHP.

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