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Sistema di ispezione ottico Teron™ SL600
automaticodi difetto di superficieper wafer

Sistema di ispezione ottico - Teron™ SL600 - KLA Corporation - automatico / di difetto di superficie / per wafer
Sistema di ispezione ottico - Teron™ SL600 - KLA Corporation - automatico / di difetto di superficie / per wafer
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Caratteristiche

Tecnologia
ottico
Specificazioni
automatico
Tipo
di difetto di superficie
Applicazioni prodotto
per wafer
Configurazione
su misura

Descrizione

Il sistema di ispezione Teron™ SL670e XP2 viene utilizzato per valutare la qualità dei reticoli EUV in ingresso e per riqualificare periodicamente i reticoli EUV durante la produzione e dopo la pulizia dei reticoli, aiutando i produttori di chip a proteggere la resa riducendo il rischio di stampare wafer difettosi. Grazie alle innovative tecnologie EUVGold™ e EUVMultiDie, al tracciamento avanzato della messa a fuoco e alla flessibilità dell'imaging, il Teron SL670e XP2 offre la sensibilità necessaria per monitorare e rilevare i difetti dei reticoli critici per la resa sui reticoli EUV utilizzati per la produzione di chip DRAM a 2 nm logici e avanzati. Il Teron SL670e XP2 ha anche un throughput di produzione leader nel settore, in grado di supportare i tempi di ciclo rapidi necessari per qualificare i reticoli durante la produzione di chip in grandi volumi. L'ispezione di reticoli ottici avanzati è supportata dal Teron SL670e XP2 con un'opzione. Riqualificazione del reticolo, controllo della qualità del reticolo in ingresso Ispezione di reticoli EUV e ottici (opzionale) durante la produzione di chip per tecnologie IC a 7nm/5nm. Il sistema di analisi dei dati dei reticoli per le fabbriche di circuiti integrati supporta applicazioni quali la classificazione automatica dei difetti, la revisione dei piani litografici e il monitoraggio della progressione dei difetti. Ispezione di reticoli ottici e EUV (opzionale) durante la produzione di chip per tecnologie IC a 10 nm. Ispezione di reticoli ottici durante la produzione di chip per tecnologie IC con nodo di progettazione a 20 nm.

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