- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Microchip a fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip a fotodiodo XSJ-10-D6-20InGaAsInP
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
Caratteristiche
- Specificazioni
- a fotodiodo, InP, InGaAs
Descrizione
Questo chip fotodiodo 10Gbps ad alta velocità di trasmissione dei dati ha una struttura PIN InGaAs/InP ed è illuminato dall'alto. Le caratteristiche sono alta responsabilità, bassa capacità, bassa corrente di buio, dimensione dell'area attiva di Φ50μm, pad di legame anodico e catodico sulla parte superiore per il wire-bonding del pacchetto TO-CAN. Applicazione nel ricevitore 10Gbps.
1. Area attiva di Φ20μm.
2. Struttura di collegamento terra-segnale-terra (GSG) sulla parte superiore.
3. Bassa corrente di buio, bassa capacità, alta responsabilità.
4. Velocità di datazione fino a 25Gbps.
5. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE.
6. test e ispezioni al 100%.
7. Conformità alla direttiva RoHS2.0 (2011/65/UE).
Applicazioni
1. 100 Gigabit Ethernet
2. collegamenti analogici a 20GHz.
3. Test e misure ad alta velocità.
---
Altri prodotti PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
5G/4G Communication Applications
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.