- Metrologia - Laboratorio
- Componente Ottico
- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-D6-20PIN
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Caratteristiche
- Specificazioni
- InGaAs
- Montaggio
- PIN
Descrizione
Descrizione
Questo chip fotodiodo 10Gbps ad alta velocità di trasmissione dei dati ha una struttura PIN InGaAs/InP ed è illuminato dall'alto. Le caratteristiche sono alta responsabilità, bassa capacità, bassa corrente di buio, dimensione dell'area attiva di Φ50μm, pad di legame anodico e catodico sulla parte superiore per il wire-bonding del pacchetto TO-CAN. Applicazione nel ricevitore 10Gbps.
Caratteristiche
Area attiva di Φ20μm.
Struttura di collegamento terra-segnale-terra (GSG) sulla parte superiore.
Bassa corrente di buio, bassa capacità, alta responsabilità.
Velocità di datazione fino a 25Gbps.
Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE.
test e ispezioni al 100%.
Conformità alla direttiva RoHS2.0 (2011/65/UE).
Applicazioni
100 Gigabit Ethernet
collegamenti analogici a 20GHz.
Test e misure ad alta velocità.
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5G/4G Communication Applications
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