- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Microchip a fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip a fotodiodo XSJ-10-D5-50AInGaAsInP
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Caratteristiche
- Specificazioni
- a fotodiodo, InP, InGaAs
Descrizione
Questo chip fotodiodo 10Gbps ad alta velocità di trasmissione dei dati ha una struttura PIN InGaAs/InP ed è illuminato dall'alto. Le caratteristiche sono alta responsabilità, bassa capacità, bassa corrente di buio, dimensione dell'area attiva di Φ50μm, pad di legame anodico e catodico sulla parte superiore per il wire-bonding del pacchetto TO-CAN. Applicazione nel ricevitore 10Gbps.
1. Area attiva di Φ50μm.
2. Bassa capacità.
3. Alta responsabilità.
4. Bassa corrente di buio.
5. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE.
6. Velocità di trasferimento dati fino a 10 Gbps.
7. test e ispezioni al 100%.
Applicazioni
1. Reti ottiche a lungo raggio.
2. ethernet 10G.
3. Datacom in fibra ottica.
5. WDM, ATM.
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