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- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-D5-50APIN
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Caratteristiche
- Specificazioni
- InGaAs
- Montaggio
- PIN
Descrizione
Descrizione
Questo chip fotodiodo 10Gbps ad alta velocità di trasmissione dei dati ha una struttura PIN InGaAs/InP ed è illuminato dall'alto. Le caratteristiche sono alta responsabilità, bassa capacità, bassa corrente di buio, dimensione dell'area attiva di Φ50μm, pad di legame anodico e catodico sulla parte superiore per il wire-bonding del pacchetto TO-CAN. Applicazione nel ricevitore 10Gbps.
Caratteristiche
Area attiva di Φ50μm.
Bassa capacità.
Alta responsabilità.
Bassa corrente di buio.
Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE.
Velocità di trasferimento dati fino a 10 Gbps.
test e ispezioni al 100%.
Applicazioni
Reti ottiche a lungo raggio.
ethernet 10G.
Datacom in fibra ottica.
WDM, ATM.
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