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- Array di fotodiodi chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Array di fotodiodi in GaAs XSJ-10-G5-70-K4PINchip
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Caratteristiche
- Specificazioni
- PIN, in GaAs, chip
Descrizione
Questo chip fotodiodo 4X10Gbps ad alta velocità di trasmissione dati è una struttura PIN illuminata dall'alto in GaAs. Le caratteristiche sono alta responsabilità, bassa capacità, bassa corrente di buio, dimensione dell'area attiva di Φ70μm, pad di legame anodico e catodico sulla parte superiore per il wire-bond del pacchetto TO-CAN, applicazione nella trasmissione dati a canale in fibra, 10Gigabit Ethernet e comunicazione multimodale ecc.
1. Area attiva di Φ70μm.
2. Bassa capacità e bassa corrente di buio.
3. Alta responsabilità.
4. Velocità di trasmissione dati fino a 10Gbps.
5. Passo degli stampi: 250μm
6. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE.
7. test e ispezioni al 100%.
Applicazioni
1. ricevitore AOC (Active Optical Cable) da 10 Gbps a 850 nm.
2. Infiniband.
3. SONET/SDH
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Cataloghi
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