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Microchip digitale XSJ-10-EMPD-120
di rilevazioneInGaAsInP

Microchip digitale - XSJ-10-EMPD-120 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - di rilevazione / InGaAs / InP
Microchip digitale - XSJ-10-EMPD-120 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - di rilevazione / InGaAs / InP
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Caratteristiche

Specificazioni
digitale, di rilevazione, InP, InGaAs

Descrizione

XSJ-10-EMPD-120 è un chip fotorivelatore di monitoraggio InGaAs InP PIN a illuminazione laterale con struttura planare. L'anodo si trova sul lato anteriore e il catodo sul lato posteriore, mentre la finestra di rilevamento laterale del chip è di 120umX60um, adatta ai centri dati e ai laser a emissione di bordo delle telecomunicazioni. Ha un'elevata reattività nella gamma di lunghezze d'onda da 980 nm a 1620 nm ed è adatto per imballaggi non ermetici. 1. P bond pad in alto, N Bond pad in basso 2. Area di rilevamento dei bordi: 120μmX60μm. 3. Alta responsabilità e bassa corrente di buio. 4. Supporta i processi di saldatura eutettica. 5. test e ispezione al 100%. 6. Soddisfa un pacchetto non ermetico. 7. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE. 8. Conformità alla direttiva RoHS2.0 (2011/65/UE). Applicazioni 1. Monitoraggio della potenza del laser back facet. 2. Comunicazioni ottiche digitali FTTH. 3. Interconnessione ottica.

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