Fotodiodo InGaAs XSJ-10-EMPD-120

PIN

Descrizione XSJ-10-EMPD-120 è un chip fotorivelatore di monitoraggio InGaAs InP PIN a illuminazione laterale con struttura planare. L'anodo si trova sul lato anteriore e il catodo sul lato posteriore, mentre la finestra di rilevamento laterale del chip è di 120umX60um, adatta per i centri dati e i laser a emissione di bordo delle telecomunicazioni. Ha un'elevata reattività nella gamma di lunghezze d'onda da 980 nm a 1620 nm ed è adatto per il confezionamento non ermetico. Caratteristiche 1. P bond pad in alto, N Bond pad in basso 2. Area di rilevamento dei bordi: 120μmX60μm. 3. Alta responsabilità e bassa corrente di buio. 4. Supporta i processi di saldatura eutettica. 5. test e ispezione al 100%. 6. Soddisfa un pacchetto non ermetico. 7. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE. 8. Conformità alla direttiva RoHS2.0 (2011/65/UE). Applicazioni 1. Monitoraggio della potenza del laser back facet. 2. Comunicazioni ottiche digitali FTTH. 3. Interconnessione ottica.