Modulo di potenza intelligente a IGBT BM63767S-VC

Modulo di potenza intelligente a IGBT - BM63767S-VC - ROHM Semiconductor
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Caratteristiche

Altre caratteristiche
a IGBT
Tensione

600 V

Descrizione

BM63767S-VC è un modulo di potenza intelligente composto da gate driver, diodi di bootstrap, IGBT e diodi fly wheel. inverter DC/AC trifase Emettitore aperto IGBT lato basso Diodo di bootstrap integrato Driver per gate IGBT lato alto (HVIC): Processo SOI (Silicio su isolante), circuito di pilotaggio, spostamento del livello di alta tensione, limite di corrente per il diodo Bootstrap, blocco della sottotensione dell'alimentazione (UVLO) Driver per gate IGBT a bassa tensione (LVIC): Circuito di azionamento, protezione dalla corrente di cortocircuito (SCP), blocco della sottotensione dell'alimentazione di controllo (UVLO), spegnimento termico (TSD) Segnale di guasto (LVIC) corrispondente a SCP (IGBT lato basso), TSD e guasto UVLO Interfaccia di ingresso Linea 3,3 V, 5 V

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.