Produzione di film di silicio amorfo intrinseco e drogato.
Processi
I gas precursori ionizzati depositano film sottili su un substrato.
Caratteristiche
- Accensione rapida a radiofrequenza con una potenza di riflessione minima per una deposizione uniforme e stabile del film.
- Alimentazione multipla matura e stabile in tecnologia RF compatibile con camere di processo anche di grandi dimensioni.
- Gas regolabile in continuo tra diffusore e substrato per offrire possibilità di processo flessibili.
- Elevata produttività a costi relativamente bassi, con possibilità di progettazione di prodotti personalizzati.
- Design modulare per facilitare l'installazione e la manutenzione, insieme al più alto protocollo di sicurezza dalla progettazione alla fabbricazione.
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