PresentazioneSistema di deposizione di ossidi tramite CBVD per il trattamento di wafer da 2 a 18 pollici. Progettato per eseguire la crescita controllata di strati ossidati con monitoraggio in tempo reale e funzionamento completamente automatizzato. Compatibile con wafer fino a Ø450 mm.
GammaGamma di macchine Sybilla.
Caratteristiche principali- Tecnologia CBVD sviluppata con il nostro partner 3D Oxides
- Uniformità di deposizione su wafer fino a Ø450 mm
- Monitoraggio in tempo reale per mantenere le condizioni di crescita
- Processo completamente automatizzato
- Progettato per wafer da 2 a 18 pollici
- Immagini e visualizzazione del prodotto disponibili (fotografie della gamma Sybilla)
DocumentazioneDocumentazione tecnica disponibile (file PDF specifico per la macchina Oxides).
Caratteristiche / specifiche tecniche- Tecnologia: CBVD (Chemical Beam Vapor Deposition)
- Partner tecnico: 3D Oxides
- Gamma wafer compatibili: 2 a 18 pollici
- Uniformità target: fino a Ø450 mm
- Controllo: monitoraggio in tempo reale dei parametri di crescita
- Automazione: processo completamente automatizzato
- Gamma: Sybilla
- Anno di riferimento: 2026 (sviluppo della gamma)