Substrato nitruro di alluminio

Panoramica
Submount a tre strati Cu-AlN-Cu che funge da dissipatore per moduli a diodo laser (LD) ad alta potenza. La struttura composita Cu/AlN/Cu offre elevata conduttività termica mantenendo l'isolamento elettrico. Il controllo degli spessori del rame e delle altre strati consente l'ottimizzazione del coefficiente di dilatazione termica (CTE) in accordo con il chip LD, supportando maggiore potenza e durata. L'assenza di pullback nelle zone di bordo critiche permette ampia libertà progettuale per package e ottiche.

Caratteristiche principali

• Composito Cu + AlN per conduttività termica e isolamento elettrico
• Accoppiamento CTE con LD ottenibile regolando gli spessori di Cu e AlN
• La regolazione degli spessori consente di adeguare il CTE ai materiali LD specifici
• Adatto a configurazioni LD multi-emettitore
• Non è richiesto pullback nelle aree di bordo critiche
• Agevola il montaggio P-side-down e layout compatti
• Disponibile deposizione di saldatura AuSn / AuGe per vaporizzazione
• Bordi affilati per un allineamento preciso del LD
• Raggio di bordo < 20 μm

Dati comparativi (riferimento)
Unità / Cu-AlN-Cu / AlN / CuW (10/20)
Caratteristica materiale / − / Isolante / Conduttivo
Conduttività termica (W/m·K) / 190–250※ / 170 / 180/200
CTE (ppm/°C) / 6–10※ / 4.6 / 6.5/8.3
Resistenza elettrica (Ω·m) / − / − / 5.3/4.0 (×10-8)
Tensione di lavoro (V) / <200 / <200 / NA
Permittività relativa (@1 MHz) / − / 9 / NA
Fattore di dissipazione (Tan δ) / − / 5×10-4 / NA
(※Controllabile mediante progetto)

Applicazioni

• Laser industriali: saldatura, taglio, marcatura, trattamento superficiale (ricottura), ecc.
• Laser medicali: oftalmologia, epilazione, sistemi endoscopici
• Attrezzature per semiconduttori: dispositivi di potenza e strumenti di lavorazione laser
• Apparecchiature digitali: stampanti laser e multifunzione

Specifiche tecniche

• Tipo di prodotto: Submount isolante a tre strati Cu-AlN-Cu (Cu / AlN / Cu)
• Funzione: Dissipatore per moduli LD ad alta potenza che combina conduttività termica e isolamento elettrico
• Conduttività termica: 190–250 W/m·K (Cu-AlN-Cu, controllabile in fase di progetto)
• CTE: 6–10 ppm/°C (controllabile in fase di progetto)
• Resistenza elettrica: non specificata per Cu-AlN-Cu (valori conduttivi indicati per CuW)
• Tensione di lavoro: <200 V
• Permittività relativa (@1 MHz): 9 (riferimento)
• Fattore di dissipazione (Tan δ): 5×10-4 (riferimento)
• Saldatura: Deposizione per vaporizzazione AuSn / AuGe disponibile
• Qualità del bordo: Raggio di bordo < 20 μm per un allineamento preciso del LD
• Note di progettazione: Controllo dello spessore del Cu per l'accoppiamento termico; nessun pullback richiesto in aree critiche; spessori Cu/AlN regolabili per ottimizzare il CTE
• Consigliato per: LD multi-emettitore e configurazioni P-side-down