Lastra di vetro

Panoramica
Il packaging tridimensionale a livello wafer (WLP) che utilizza via attraverso il vetro (TGV) consente la miniaturizzazione dei semiconduttori e migliora le prestazioni in alta frequenza tramite interconnessioni metalliche.

Caratteristiche

• Bonding anodico con wafer di silicio disponibile
• Processo senza adesivo che elimina i problemi di out-gassing
• Prestazioni ad alta frequenza adatte ad applicazioni RF
• Bassa capacità parassita rispetto ai TSV
• Bassa induttanza
• Bassa resistenza elettrica grazie alle via metalliche

Adatto per packaging WL-CSP MEMS

• Tolleranza del pitch delle via fine
• Pitch consecutivo ≤ ±20 μm su wafer φ200 mm
• Pitch consecutivo delle via ≤ ±20 μm
• Disponibile fino a wafer φ200 mm

Mercati finali / Applicazioni

• AV / Mobile: Interruttori e relè RF per smartphone, dispositivi portatili, fotocamere digitali, navigatori; sensori di pressione; giroscopi; accelerometri; sensori di immagine
• Automotive: Sensori di pressione; accelerometri; giroscopi
• Semiconduttori: Interruttori RF‑MEMS; sensori di immagine
• Biotecnologia / Medicale: Sensori di pressione per dispositivi medici

Specifiche tecniche

• Materiale: Borofloat 33, SW-YY
• Dimensione vetro: ≤ φ200 mm
• Spessore minimo: 0,3 mm
• Diametro minimo via: φ0,15 mm
• Tolleranza diametro foro: ±0,02 mm
• Rapporto massimo profondità:diametro: 1 : 5
• Materiale via: Si, W (tungsteno)
• Ermeticità via (test perdita He): 1×10^-9 Pa·m^3/s
• Gap via–vetro (Standard): 0 μm–3,0 μm
• Gap via–vetro (Opzione 1): 0 μm–1,0 μm
• Gap via–vetro (Opzione 2): -3,0 μm–0 μm
• Forma via: Dritta
• Processo cavità: Disponibile
• Metallizzazione: Disponibile
• Processo bump: Disponibile