Sistema di misurazione effetto Hall DX-1000T

di concentricitàdi resistivitàper semiconduttore

Questo sistema strumentale è composto da: elettromagnete, alimentatore per elettromagnete, sorgente di corrente costante ad alta precisione, voltmetro ad alta precisione, misuratore di Gauss, portacampioni a effetto Hall, campione standard, Dewar ad alta e bassa temperatura, regolatore di temperatura e software di sistema. Materiali testabili: - Materiali semiconduttori: SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe e materiali in ferrite, ecc; - Materiali a bassa impedenza: grafene, metalli, ossidi trasparenti, materiali semiconduttori debolmente magnetici, materiali TMR, ecc; - Materiali ad alta resistenza: GaAs semi-isolante, GaN, CdTe, ecc. Indicatori tecnici - Campo magnetico: passo di 10 mm è 2T, passo di 30 mm è 1T; - Corrente del campione: 0,05uA~50mA (regolare 0,1nA); - Tensione di misura: 0,1uV~30V; - Fornisce vari materiali standard di prova, silicio e arseniuro di gallio di vari livelli (sensibilità e precisione diverse); - Risoluzione minima: 0.1GS; - Campo magnetico: 0-1T; - Cooperare con il misuratore di gauss o la scheda di acquisizione digitale per comunicare con il computer; - Misura della curva I-V e della curva I-R, ecc; - Curve di variazione di parametri quali il coefficiente di Hall e la concentrazione di portatori con la temperatura; - Gamma di resistività: 10-7~1012 Ohm*cm; - Intervallo di resistenza: 10 m Ohm~ 6MOhms; - Concentrazione di portatori: 103~1023cm-3; - Mobilità: 0,1~108cm2/volt*sec; - Regolazione della temperatura 0,1K; - Zona di temperatura: 77K-470K; - Test completamente automatizzato, elaborazione con un solo tasto; - È possibile realizzare una misura continua tra le stesse differenze di temperatura. Parametri di ciascun componente: Elettromagnete di alta precisione - Diametro del polo 100 mm;