Sistema di misurazione per wafer
di effetto Kerr (MOKE)otticoa laser

Sistema di misurazione per wafer - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - di effetto Kerr (MOKE) / ottico / a laser
Sistema di misurazione per wafer - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - di effetto Kerr (MOKE) / ottico / a laser
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Caratteristiche

Grandezza fisica
di effetto Kerr (MOKE)
Tecnologia
ottico, a laser, magnetico
Modo di funzionamento
automatico
Prodotto misurato
per wafer
Configurazione
verticale
Altre caratteristiche
senza contatto

Descrizione

Utilizzando l'effetto Kerr magneto-ottico poloidale (MOKE), le proprietà magnetiche delle pile di wafer vengono rilevate in modo rapido e globale. La misurazione senza contatto evita di danneggiare il wafer con la caratterizzazione magnetica tradizionale e può essere applicata al rilevamento dei campioni prima e dopo la modellazione. Wafer Moke è in grado di fornire fino a 2,5T di campo magnetico verticale/1,3T di campo magnetico in piano e il forte campo magnetico può indurre il capovolgimento dello strato libero, dello strato di riferimento e dello strato appuntato dello stack di film di memoria ad accesso casuale magnetico (MRAM) anisotropo verticale; Sensibilità di rilevamento Kerr ultraelevata, in grado di caratterizzare contemporaneamente i sottili cambiamenti magnetici di diversi strati di pellicola. Combinando il rilevamento laser punto per punto con l'imaging a scansione è possibile creare rapidamente una mappa globale delle proprietà magnetiche dei wafer, favorendo l'ottimizzazione dei processi e il controllo della resa. Indicatori di prestazione e vantaggi dimensioni del campione: supporta test su wafer fino a 12 pollici ed è compatibile con le versioni precedenti; campo magnetico: il campo magnetico verticale massimo è migliore di ±2,5 T e la risoluzione del campo magnetico è di 1 μT; sensibilità di rilevamento magnetico: il grado di rilevamento dell'angolo di rotazione Kerr è migliore di 0,3 mdeg (RMS), adatto alla caratterizzazione magnetica di pile di film multistrato; precisione di posizionamento del campione: migliore di ±1 μm, jitter statico ≤±0,25 μm. Funzioni e scenari applicativi misura del loop di isteresi verticale di stack MRAM e array di dispositivi (Polar Kerr per MRAM); misura del loop di isteresi verticale di supporti di memorizzazione magnetica come i dischi (Polar Kerr per PMR Disk);

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