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Fotodiodi HAMAMATSU
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... Descrizione Il chip fotorivelatore ad alta velocità 4X14Gbps è una struttura PIN con ingresso positivo in GaAs, caratterizzata da elevata reattività, bassa capacità e bassa corrente di buio; la dimensione della zona fotosensibile è di ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.

... Descrizione Questo chip fotodiodo a 100 Gbps ad alta velocità di trasmissione dei dati è una struttura PIN illuminata dall'alto in GaAs. Le caratteristiche sono alta responsabilità, bassa capacità, bassa corrente di ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.

... 1. Fotorivelatore a valanga InGaAs/InP ad alta risposta, 2. Alta sensibilità per singolo fotone 3. Elevato guadagno e basso rumore 4. Gamma di lunghezze d'onda da 950 nm a 1650 nm, 5. pacchetto coassiale in fibra monomodale 49/125/250um. Applicazioni 1. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.

... La serie S16008 è un fotodiodo Si a montaggio superficiale con elevata sensibilità nella regione del visibile e del vicino infrarosso. La sensibilità è superiore a quella della precedente serie S2387. Caratteristiche -Alta ...
HAMAMATSU

... - Dispositivi diagnostici digitali - Monitoraggio dei segni vitali Caratteristiche - Confezione: epossidica trasparente - ESD: 2 kV secondo ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Classe 2) - Sensibilità verde potenziata - Particolarmente adatto ...

... I fotodiodi e i LED di Jenoptik possono essere facilmente integrati nei sistemi esistenti o adattati alle applicazioni optoelettroniche, eliminando anche la necessità di filtri esterni. Fotodiodi e LED ...

... Fotodiodo PIN al silicio CARATTERISTICHE Tipo di confezione: montaggio superficiale Forma della confezione: 1206 Dimensioni (L x L x A in mm): 4 x 2 x 1,05 APPLICAZIONI Rilevatore fotografico ad alta velocità ...

... -Il fotodiodo al silicone a 4 quadranti con foro passante è caratterizzato da un'elevata precisione, posizionato concentricamente all'interno di un foro nell'alloggiamento meccanico esterno. -Applicazioni: -Allineamento ...

... Fotodiodi a valanga al silicio I Si-APD sono adatti per la gamma spettrale da 255 nm a 1100 nm. Ampia gamma di APD Dalla fondazione di Laser Components Detector Group Inc. nel 2004, abbiamo creato una gamma di prodotti ...
LASER COMPONENTS

... PD-LD Inc. offre una varietà di fotodiodi PIN standard e personalizzati e gli APD sono pacchetti accoppiati in fibra, di comprovata produzione e design. I nostri dispositivi al germanio sono adatti da 800 a 2100nm. Tutti ...
PD-LD


... l sottoinsieme ottico ad alta affidabilità Lumentum 1310/1550 nm 10G XFP ROSA (ROSA), progettato specificamente per il ricetrasmettitore XFP, offre prestazioni eccellenti a temperature di funzionamento prolungate in applicazioni ad alta ...
LUMENTUM

... Il DH-Si è un fotodiodo al silicio di uso generale con tecnologia UV-enhanced che offre un'eccellente linearità e un basso rumore nell'intervallo di lunghezza d'onda di 200-1100nm. Oltre al suo utilizzo in tutta la gamma ...

... L'SG01S-18 è un fotodiodo UV SiC a banda larga che offre la proprietà unica di estrema durezza alle radiazioni, cecità visibile quasi perfetta, bassa corrente di buio, alta velocità e basso rumore. Queste caratteristiche ...
Scitec Instruments

... Rapporto di condizionamento del segnale per un sensore UV - Materiale basato sul nitruro di gallio - Fotodiodo di tipo Schottky - Funzionamento in modalità fotovoltaica - Buona cecità visibile - Alta reattività ...
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