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... direttiva RoHS2.0 (2011/65/UE). Applicazioni 1. Monitoraggio della potenza del laser back facet. 2. Comunicazioni ottiche digitali FTTH. 3. Interconnessione ottica. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... 1620nm.Applicato al monitoraggio della potenza ottica in uscita dalla faccia posteriore di vari LD, comunicazioni ottiche digitali FTTH e interconnessione ottica. 1. Pad di collegamento NPN sulla parte superiore. 2. Area rilevabile sul ...
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... di dimensioni personalizzate. Applicazioni 1. Monitoraggio della potenza del laser back facet. 2. Comunicazioni ottiche digitali FTTH. 3. Interconnessione ottica. ...
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... direttiva RoHS2.0 (2011/65/UE). Applicazioni 1. Monitoraggio della potenza del laser back facet. 2. Comunicazioni ottiche digitali FTTH. 3. Interconnessione ottica. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... direttiva RoHS2.0 (2011/65/UE). Applicazioni 1. Monitoraggio della potenza del laser back facet. 2. Comunicazioni ottiche digitali FTTH. 3. Interconnessione ottica. ...
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... Questo chip fotodiodo da 3,1 Gbps è a struttura planare InGaAs/InP PIN e chip fotodiodo digitale illuminato dall'alto; la dimensione dell'area attiva è di Φ60μm. Le caratteristiche sono bassa corrente di buio, bassa capacità, alta reattività ...
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... Questo chip per fotodiodi da 2,5 Gbps è un chip con struttura planare InGaAs/InP PIN e fotodiodo digitale illuminato dall'alto, con un'area attiva di Φ70μm. Le caratteristiche sono bassa corrente di buio, bassa capacità, alta reattività ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Questo chip fotodiodo a 3GHz è a struttura planare InGaAs/InP PIN e chip PD digitale/analogico ad alta reattività illuminato dall'alto a 3GHz, con un'area attiva di Φ70μm. Le sue caratteristiche sono bassa corrente di buio, bassa capacità, ...
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... Questo chip per fotodiodi a 2,5 Gbps ha una struttura planare InGaAs/InP PIN e un chip PD digitale/analogico ad alta reattività illuminato dall'alto; la dimensione dell'area attiva è di Φ70μm. Le caratteristiche sono bassa corrente di ...
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... Il chip per fotodiodi da 2,5 Gbps è a struttura PIN planare InGaAs/InP e chip PD digitale/analogico illuminato dall'alto; la dimensione dell'area attiva è di Φ70μm. Le caratteristiche sono: bassa corrente di buio, bassa capacità, alta ...
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