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Microchip digitale XSJ-10-D3-70-04
a fotodiodoInGaAsInP

Microchip digitale - XSJ-10-D3-70-04 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - a fotodiodo / InGaAs / InP
Microchip digitale - XSJ-10-D3-70-04 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - a fotodiodo / InGaAs / InP
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Caratteristiche

Specificazioni
digitale, a fotodiodo, InP, InGaAs

Descrizione

Questo chip per fotodiodi da 2,5 Gbps è un chip con struttura planare InGaAs/InP PIN e fotodiodo digitale illuminato dall'alto, con un'area attiva di Φ70μm. Le caratteristiche sono bassa corrente di buio, bassa capacità, alta reattività ed eccellente affidabilità. Applicazione in ricevitori ottici da 2,5 Gbps e inferiori e in ONU EPON. 1. Area attiva di Φ70μm. 2. Alta responsabilità. 3. Bassa corrente di buio. 4. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE. 5. test e ispezioni al 100%. Applicazioni 1. ricevitore ONU GPON/EPON da 2,5 Gbps. 2. EPON ONU.

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.