video corpo

Microchip PON XSJ-10-APD4-50G
a fotodiodo

Microchip PON - XSJ-10-APD4-50G - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - a fotodiodo
Microchip PON - XSJ-10-APD4-50G - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - a fotodiodo
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
 

Caratteristiche

Specificazioni
a fotodiodo, PON

Descrizione

Il chip fotodiodo a valanga (chip APD) è un tipo di dispositivo attivo che fornisce un guadagno incorporato e amplifica la fotocorrente. Le caratteristiche di questo prodotto sono l'anodo sulla parte superiore e il catodo sulla parte posteriore, con un'area attiva illuminata dall'alto di Φ50μm per un facile assemblaggio ottico; alta reattività, alto fattore di moltiplicazione e bassa corrente di buio. Il chip APD ad alte prestazioni da 2,5 Gbps e il TIA combinato TO-CAN possono migliorare la sensibilità del ricevitore ottico e trovare applicazione nella trasmissione di reti ottiche passive (PON) a temperatura industriale. 1. Area attiva di Φ50μm. 2. Anodo in alto e catodo sul retro. 3. Bassa corrente di buio. 4. Eccellente reattività ed elevato guadagno. 5. Bassa corrente di buio. 6. Velocità di trasferimento dati fino a 2,5 Gbps. 7. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE. 8. test e ispezioni al 100%. Applicazioni 1. gPON/EPON I-temp. da 2,5 Gbps e inferiori. Unità di rete ottica (ONU).

---

Cataloghi

Nessun catalogo è disponibile per questo prodotto.

Vedi tutti i cataloghi di PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.