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Microchip PON XSJ-10-APD4-50
a fotodiodo

Microchip PON - XSJ-10-APD4-50 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - a fotodiodo
Microchip PON - XSJ-10-APD4-50 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - a fotodiodo
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Caratteristiche

Specificazioni
a fotodiodo, PON

Descrizione

Il chip fotodiodo a valanga (chip APD) è un tipo di dispositivo attivo che fornisce un guadagno incorporato e amplifica la fotocorrente. Le caratteristiche di questo prodotto sono l'anodo sulla parte superiore e il catodo sulla parte posteriore, con un'area attiva illuminata dall'alto di Φ50μm per un facile assemblaggio ottico; alta reattività, alto fattore di moltiplicazione e bassa corrente di buio. Il chip APD ad alte prestazioni da 3,5 Gbps e il TIA combinato TO-CAN possono migliorare la sensibilità del ricevitore ottico e trovare applicazione nella trasmissione di reti ottiche passive (PON). 1. Area attiva di Φ50μm. 2. Anodo in alto e catodo sul retro. 3. Bassa corrente di buio. 4. Eccellente reattività ed elevato guadagno. 5. Velocità di trasferimento dati fino a 3,5 Gbps. 6. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE. 7. test e ispezioni al 100%. 8. Conformità alla direttiva RoHS2.0 (2011/65/UE). Applicazioni 1. 3.rete ottica passiva (PON) da 5Gbps.

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