Microchip Phograin

... Questo chip fotodiodo 25Gbps, che è un chip fotodiodo PIN ad alta velocità di trasmissione dei dati illuminato dall'alto, con un'area attiva di Φ32μm. Le sue caratteristiche sono l'elevata reattività, la bassa capacità, la bassa corrente di buio e l'eccellente ...

... Questo chip fotodiodo 25Gbps, che è un chip fotodiodo PIN ad alta velocità di trasmissione dei dati illuminato dall'alto, con un'area attiva di Φ32μm. Le sue caratteristiche sono l'elevata reattività, la bassa capacità, la bassa corrente di buio e l'eccellente ...

... Questo chip fotodiodo 10Gbps ad alta velocità di trasmissione dei dati ha una struttura PIN InGaAs/InP ed è illuminato dall'alto. Le caratteristiche sono alta responsabilità, bassa capacità, bassa corrente di buio, dimensione dell'area attiva di Φ50μm, ...

... Questo chip fotodiodo 10Gbps ad alta velocità di trasmissione dei dati ha una struttura PIN InGaAs/InP ed è illuminato dall'alto. Le caratteristiche sono alta responsabilità, bassa capacità, bassa corrente di buio, dimensione dell'area attiva di Φ50μm, ...

... Questo chip per fotodiodi a valanga da 25Gbps (chip APD) è un tipo di struttura a elettrodi Ground-Signal (GS), con dimensioni dell'area attiva illuminata dall'alto pari a Φ16μm. Le caratteristiche di questo prodotto sono l'elevata moltiplicazione, la ...

... XSJ-10-EMPD-120L è un chip fotorilevatore di monitoraggio InGaAs InP PIN a illuminazione laterale con struttura planare. L'anodo e il catodo si trovano sulla parte anteriore e la finestra di rilevamento laterale del chip è di 120umX60um, adatta ai centri ...

... Questo chip fotodiodo PIN monitor InGaAs/InP illuminato ai bordi con un'ampia area attiva, con struttura planare con anodo e doppio catodo sulla parte superiore. La dimensione dell'area rilevabile sul bordo è di 100μmX80μm e la reattività è più elevata ...

... Questo chip fotodiodo da 56GBaud, che è un chip fotodiodo PIN ad alta velocità di trasmissione dati con struttura mesa e illuminazione superiore, ha una dimensione dell'area attiva di Φ16μm. Le sue caratteristiche sono l'alta reattività, la bassa capacità, ...

... XSJ-10-EMPD-120R è un chip fotodiodo PIN monitor InGaAs/InP illuminato ai bordi, con struttura planare e contatto anodico e catodico in alto. La dimensione dell'area rilevabile sul bordo del fotodiodo è di 120μmX60μm, adatta ai laser a emissione sul bordo ...

... Descrizione XSJ-10-EMPD-120RB è un chip fotorivelatore di monitoraggio InGaAs InP PIN illuminato lateralmente con struttura planare. L'anodo e il catodo sono metallizzati sulla parte anteriore e posteriore e la finestra di rilevamento laterale del chip ...