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Tensione: 60 V
... Transistor NPN al silicio epitassiale Applicazioni Questo prodotto è di uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse. ...
Corrente: 24 A
Tensione: 1.700 V
... Structure" (EHVS1) sviluppata per i display CRT ad alta definizione. La nuova serie di prodotti HD presenta un'efficienza del silicio migliorata e prestazioni aggiornate per la fase di deflessione orizzontale. Tutte le caratteristiche TECNOLOGIA ...
Corrente: 81 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4018KE è un MOSFET SiC che contribuisce alla miniaturizzazione e al basso consumo delle applicazioni. Si tratta di un prodotto di quarta generazione che raggiunge una bassa resistenza di accensione, leader del settore, senza sacrificare ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 51 A
Tensione: 750 V
... SCT4026DW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 75 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4018KW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le sue caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi del ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 31 A
Tensione: 750 V
... SCT4045DW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4062KW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le sue caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi del ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 98 A
Tensione: 750 V
... SCT4013DW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 34 A
Tensione: 750 V
... SCT4045DRHR è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le sue caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 31 A
Tensione: 750 V
... SCT4045DW7HR è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi del ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 26 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4062KRHR è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi del ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4062KW7HR è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le sue caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 1 A - 5 A
Tensione: 12 V - 400 V
... per quanto riguarda i transistor bipolari. Utilizzando la sua vasta gamma di imballaggi interni e la tecnologia superiore al silicio, Diodes è nella posizione ideale per soddisfare le vostre esigenze applicative per ...
Diodes Incorporated
Tensione: 50, 100 V
... Il FMMT413 è un transistor bipolare planare bipolare in silicio NPN ottimizzato per il funzionamento in modalità valanga. Lo stretto controllo di processo e il confezionamento a bassa induttanza si combinano per produrre ...
Diodes Incorporated
Tensione: 45 V
... I tipi BCX51, BCX52 e BCX53 di CENTRAL SEMICONDUCTOR sono transistori al silicio PNP prodotti con processo planare epitassiale, stampati in resina epossidica in un contenitore a montaggio superficiale, progettati per ...
Central Semiconductor
Tensione: 60 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE BCV47 è un transistor NPN Darlington in silicio NPN prodotto con il processo planare epitassiale, stampato epossidico in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato per applicazioni ...
Central Semiconductor
Tensione: 60, 80 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT3820G è un transistor NPN a bassissima VCE(SAT), progettato per applicazioni in cui le dimensioni ridotte e l'efficienza sono i requisiti principali. Confezionato in un contenitore a montaggio superficiale SOT-563, ...
Central Semiconductor
Corrente: 50 mA
Tensione: 30 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 e CMPFJ176 sono JFET a canale P stampati in resina epossidica realizzati in un contenitore SOT-23, progettati per applicazioni di amplificazione a basso livello. CODICI DI MARCATURA: CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X CMPFJ177: ...
Central Semiconductor
Corrente: 5 A
Tensione: 40 V
... DESCRIZIONE: I SEMICONDUTTORI CENTRALI CMPP6027 e CMPP6028 sono transistor unigiunzione programmabili al silicio, prodotti in un pacchetto SOT-23 a montaggio superficiale, progettati per caratteristiche regolabili (programmabili) ...
Central Semiconductor
Corrente: 200 mA
Tensione: 40, 60 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0405 è un singolo transistor NPN e un diodo Schottky confezionato in un contenitore SOT-563 di minimo ingombro e progettato per applicazioni generiche a piccolo segnale in cui le dimensioni e l'efficienza operativa ...
Central Semiconductor
Corrente: 1 A
Tensione: 25, 40, 6 V
... digitali, cercapersone, PDA, PC portatili, ecc. CARATTERISTICHE - Dispositivo a doppio chip - Transistor e raddrizzatore Schottky ad alta corrente (1,0A) - Transistor NPN a bassa VCE(SAT) (450mV @ IC=1,0A MAX) - Raddrizzatore ...
Central Semiconductor
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