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Tensione: 60 V
... Transistor NPN al silicio epitassiale Applicazioni Questo prodotto è di uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse. ...
Corrente: 81 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4018KE è un MOSFET SiC che contribuisce alla miniaturizzazione e al basso consumo delle applicazioni. Si tratta di un prodotto di quarta generazione che raggiunge una bassa resistenza di accensione, leader del settore, ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 51 A
Tensione: 750 V
... SCT4026DW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 75 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4018KW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le sue caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 31 A
Tensione: 750 V
... SCT4045DW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4062KW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le sue caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 98 A
Tensione: 750 V
... SCT4013DW7 è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 34 A
Tensione: 750 V
... SCT4045DRHR è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le sue caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 31 A
Tensione: 750 V
... SCT4045DW7HR è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 26 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4062KRHR è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensione: 1.200 V
... SCT4062KW7HR è un MOSFET a trincea in SiC (carburo di silicio). Le sue caratteristiche includono un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di accensione e una rapida velocità di commutazione. Vantaggi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensione: 1.700 V
... Structure" (EHVS1) sviluppata per i display CRT ad alta definizione. La nuova serie di prodotti HD presenta un'efficienza del silicio migliorata e prestazioni aggiornate per la fase di deflessione orizzontale. Tutte ...
Tensione: 45 V
... DESCRIZIONE: I tipi di SEMICONDUTTORE CENTRALE BCX51, BCX52 e BCX53 sono transistor al silicio PNP prodotto con il processo planare epitassiale, stampato a resina epossidica in un pacchetto a montaggio ...
Central Semiconductor
Tensione: 50 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE CMPT5086, CMPT5086B e CMPT5087 sono transistor PNP al silicio prodotto con il processo epitassiale planare, epossidico modellato in un pacchetto di montaggio superficiale, ...
Central Semiconductor
Tensione: 60 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE BCV47 è un transistor NPN Darlington in silicio NPN prodotto con il processo planare epitassiale, stampato epossidico in un pacchetto a montaggio superficiale, ...
Central Semiconductor
Tensione: 60 V
Central Semiconductor
... DESCRIZIONE: I SEMICONDUTTORI CENTRALI CMPFJ175 e CMPFJ176 sono JFET a canale P stampati in resina epossidica prodotto in un contenitore SOT-23, progettato per applicazioni con amplificatori di basso livello. CODICI DI MARCATURA CMPFJ175: ...
Central Semiconductor
Tensione: 30 V
... DESCRIZIONE: I SEMICONDUTTORI CENTRALI CMPFJ175 e CMPFJ176 sono JFET a canale P stampati in resina epossidica prodotto in un contenitore SOT-23, progettato per applicazioni con amplificatori di basso livello. CODICI DI MARCATURA CMPFJ175: ...
Central Semiconductor
Tensione: 40 V
... DESCRIZIONE: I SEMICONDUTTORI CENTRALI CMPP6027 e CMPP6028 sono transistor unigiunzione programmabili al silicio, prodotti in un pacchetto SOT-23 a montaggio superficiale, progettati per caratteristiche ...
Central Semiconductor
Corrente: 200 mA
Tensione: 40 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE CMLM0405 è un singolo transistor NPN e diodo Schottky confezionato in un contenitore salvaspazio SOT-563 e progettato per applicazioni generiche di segnale di piccole dimensioni ...
Central Semiconductor
Corrente: 1 A
Tensione: 25, 40, 6 V
... digitali, cercapersone, PDA, PC notebook, ecc. CARATTERISTICHE - Dispositivo a doppio chip - Transistor ad alta corrente (1,0A) e Raddrizzatore Schottky - Transistor NPN a basso VCE(SAT) NPN (450mV @ ...
Central Semiconductor
Corrente: 1 A - 5 A
Tensione: 12 V - 400 V
... per quanto riguarda i transistor bipolari. Utilizzando la sua vasta gamma di imballaggi interni e la tecnologia superiore al silicio, Diodes è nella posizione ideale per soddisfare le vostre esigenze ...
Diodes Incorporated
Tensione: 50, 100 V
... Il FMMT413 è un transistor bipolare planare bipolare in silicio NPN ottimizzato per il funzionamento in modalità valanga. Lo stretto controllo di processo e il confezionamento a bassa induttanza si combinano ...
Diodes Incorporated
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