Transistor NPN CTLM1034-M832D
di potenzain siliciodiodi Schottky

Transistor NPN - CTLM1034-M832D - Central Semiconductor - di potenza / in silicio / diodi Schottky
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Caratteristiche

Tipo
NPN
Tecnologia
di potenza
Altre caratteristiche
in silicio, diodi Schottky
Corrente

1 A

Tensione

6 V, 25 V, 40 V

Descrizione

CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM1034-832D è costituito da un transistor NPN a bassa VCE(SAT) e da un raddrizzatore Schottky a bassa VF. Confezionato in un piccolo contenitore senza piombo da 3x2 mm a montaggio superficiale, è progettato per applicazioni in cui le dimensioni ridotte, l'efficienza operativa e il basso consumo energetico sono i requisiti principali. Grazie al design del contenitore senza piombo, questo dispositivo è in grado di dissipare una potenza fino a 4 volte superiore a quella di dispositivi simili in contenitori a montaggio superficiale di dimensioni analoghe. CODICE DI MARCATURA: CFC APPLICAZIONI - Circuiti di commutazione - Convertitori CC/CC - Retroilluminazione LCD - Applicazioni per apparecchiature portatili e alimentate a batteria, tra cui telefoni cellulari, fotocamere digitali, cercapersone, PDA, PC portatili, ecc. CARATTERISTICHE - Dispositivo a doppio chip - Transistor e raddrizzatore Schottky ad alta corrente (1,0A) - Transistor NPN a bassa VCE(SAT) (450mV @ IC=1,0A MAX) - Raddrizzatore Schottky a bassa VF (550mV @ 1,0A MAX) - Elevato rapporto potenza/ingombro di 275mW per mmq (dissipazione di potenza del pacchetto/superficie del pacchetto) - Piccolo contenitore TLM 3x2mm per montaggio superficiale senza piombo - Dispositivo complementare: CTLM1074-M832D

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