Sistema di controllo dimensionale senza contatto NEXIV VMZ-H3030

Panoramica
Il NEXIV VMZ-H3030 di Nikon è un sistema di misura video ad alta precisione progettato per misurazioni dimensionali e di altezza rapide e accurate. Offre un campo di misura XYZ di 300 × 300 × 150 mm, teste ottiche con zoom e un laser di scansione TTL (through-the-lens) di serie.

Punti chiave del prodotto

• Campo di misura (X, Y, Z): 300 × 300 × 150 mm.
• Laser TTL di scansione attraverso l'obiettivo per misurazioni di altezza ad alta velocità (fino a 1.000 punti/s).
• Cinque opzioni di teste ottiche (Tipo 1–4 e TZ) per diversi campi visivi e requisiti di risoluzione.
• Illuminazione a anello in 8 segmenti con tre angoli di incidenza e modalità episcopica/diascopica/darkfield a seconda della testa.
• Flusso di misura automatico continuo per mantenere la ripetibilità nonostante variazioni nel posizionamento dei pezzi.

Caratteristiche principali

• Scansione di altezza ad alta velocità: autofocus laser TTL fino a 1.000 punti/s per acquisizione rapida dei dati Z.
• Rilevamento di strati trasparenti sottili (~0,1 mm) tramite autofocus laser TTL.
• Molteplici modalità di illuminazione (episcopico, diascopico, darkfield, anello segmentato) per misurare bordi e dettagli difficili.
• Opzioni camera: VGA 1/3" B/N di serie; camera a colori opzionale per Tipi 1, 2 e 3.

Teste di zoom (riassunto)
Tipo 1 — Ingrandimento ottico: 0.5X–7.5X — FOV: 9.33×7.01 ~ 0.622×0.467 mm — Applicazioni: stampi, parti meccaniche (domestiche, automobilistiche), PCB, componenti elettronici.
Tipo 2 — Ingrandimento ottico: 1X–15X — FOV: 4.67×3.5 ~ 0.311×0.233 mm — Applicazioni: stampi, parti meccaniche, PCB, componenti elettronici.
Tipo 3 — Ingrandimento ottico: 2X–30X — FOV: 2.33×1.75 ~ 0.155×0.117 mm — Applicazioni: componenti elettronici.
Tipo 4 — Ingrandimento ottico: 4X–60X — FOV: 1.165×0.875 ~ 0.078×0.058 mm — Applicazioni: substrati di package ad alta densità (linea, larghezza, altezza).
Tipo TZ — Ingrandimento ottico: 1X–120X — FOV: 4.67×3.5 ~ 0.039×0.029 mm — Applicazioni: pattern di wafer (WLP, altezza bump, maschera di re-routing, maschera MEMS).

Illuminazione (sommario)
Tipi 1–3: episcopico, diascopico e anello a 8 segmenti con tre angoli di incidenza (LED bianche). Tipo 4: episcopico, diascopico, anello (1 angolo). Tipo TZ: episcopico, diascopico, darkfield.

Specifiche tecniche

• Corsa XYZ: 300 × 300 × 150 mm.
• Risoluzione minima: 0,01 μm.
• Peso massimo del pezzo: 30 kg (precisione garantita fino a 10 kg).
• Errore massimo ammissibile (per campioni < 20 kg): EUX,MPE / EUY,MPE: 0.6 + 2L/1000 μm; EUXY,MPE: 0.9 + 3L/1000 μm; EUZ,MPE: 0.9 + L/150 μm.
• Temperatura di precisione garantita: 20 °C ± 0,5 K.
• Velocità massima di spostamento XY, Z: 100 mm/s, 50 mm/s. Velocità minima: 0,01 mm/s, 0,001 mm/s.
• Autofocus: Vision AF e Laser AF (TTL di serie).
• Alimentazione: AC 100–240 V ±10% 50/60 Hz. Consumo: 5 A–2,5 A.
• Dimensioni (unità principale con piano): 1000 × 1125 × 1750 mm / ca. 500 kg. Controller: 190 × 450 × 440 mm / ca. 15 kg. Ingombro (L×P): 3000 × 2800 mm.