Forno di sublimazione baSiC-T

di crescita cristallia campanaa gas

Il sistema di trasporto fisico del vapore PVA TePla (pvt) baSiC-T è stato appositamente progettato per la crescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC) mediante sublimazione di una fonte di polvere ad alte temperature. Il design del sistema baSiC-T è basato su un concetto modulare e consente l'utilizzo di substrati (semi) fino a 6''' di diametro. Forno di nuova generazione SiC PVT PVT Crystal Growth Furnace Progettato per applicazioni elettroniche di potenza alto livello di automazione per la produzione in serie Soluzione software di gestione Fab disponibile ingombro ridotto, posizionamento compatto Disponibile per 4´´´´ e 6´´´´´ Riscaldamento induttivo con bobine di provata efficacia sul campo Basso consumo energetico (circa 10KW @ 2.200 °C controllo stabile) Concetto di carico/scarico mobile per zone calde Sistema di controllo superiore con utilizzo intuitivo con un alto livello di automazione visualizzazione dei processi con funzioni di trending avanzate soluzione di impostazione ricette offline con molte opzioni di ricette in base a set di parametri registrazione dei dati di processo a lungo termine, recupero dei dati a lungo termine il sistema di controllo e di visualizzazione funziona in modo indipendente (concetto di sicurezza) loop di controllo del sistema configurabili tramite set di parametri Eccellente concetto di sicurezza Conformità CE il diverso livello dei componenti di sicurezza del sistema garantisce un funzionamento sicuro misure di qualità e documentazione estesa della qualità Stretta collaborazione con clienti, istituti e fornitori di componenti