Forno di sublimazione SiCube

di crescita cristallia campanaa gas

Il sistema HTCVT / HTCVD è stato appositamente progettato per la crescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC) mediante sublimazione/decomposizione termica (pirolisi) dei gas di origine ad alte temperature. Grazie all'elevata capacità di vuoto è possibile ottenere superfici ultra pulite sia per quanto riguarda l'acqua che l'ossigeno prima dell'inizio del processo. Il design del sistema consente l'utilizzo di substrati (semi) fino a 4" di diametro. Specifiche tecniche Tubo reattore pressione d'esercizio: ca. 5 - 900 mbar temperatura di esercizio: max. 2,600 °C Alimentazione potenza: max. 80 kW frequenza: 6 - 8 kHz Vantaggi HTCVD: materiale SiC ad alta purezza regolazione del rapporto C/Si doping Vantaggi Sublimazione: tecnologia ben nota soddisfa i requisiti per i substrati di potenza Applicazioni - PFC (convertitore di fattore di potenza) - Inverti e convertitori per tecnologia ibrida - Inverter per l'energia solare - Elettronica ad alta frequenza - Optoelettronico