Evaporatore a fasci ionici EFM-H

di processo

Angolo a fascio: 15 FWHM massimi: (approssimativamente) flangia 15 - 6 per provare distanza: 203 millimetri o più grande profondità di inserzione: compatibile 141.5 millimetri con opzioni dei regolatori di serie di EVC o di NGEFM: l'otturatore, ingresso del gas, raffreddamento ad acqua efficace di pompaggio di esclusione un prodotto del FUOCO Il EFM-H è uno strumento ideale per la pulizia ed acquaforte delle superfici del semiconduttore (quali silicone, GaAs, il GE o il InP), per passività di superficie, per miglioramento di sviluppo della pellicola sottile ed altre applicazioni simili usando l'idrogeno attivo. Il EFM-H caratterizza un'efficienza spezzantesi vicino a 100%, un liscio, pianamente ed il profilo sharpely definito del punto, una pressione bassa della priorità bassa e un consumo sorprendentemente a bassa potenza dimostrano le prestazioni eccezionali del EFM-H. L'energia cinetica tipica degli atomi dell'idrogeno è MeV circa 250 e nè gli ioni nè le molecole eccitate sono prodotti. È non solo un ben progettato, ma anche una delle fonti caratterizzate migliori nel mercato.