Sorgente di plasma CVD

PVDper trattamenti di superficie

Sorgente atomica a radiofrequenza per l'ossigeno atomico e l'azoto atomico Minimizzate le perdite di potenza grazie al design ottimizzato La zona di scarico è realizzata con materiali di alta qualità che garantiscono una contaminazione minima della trave Configurazione standard della corrente a ioni zero come standard La crescita di materiali compositi di alta qualità richiede idealmente specie atomiche neutre e neutre. Mentre i gas molecolari come l'ossigeno o l'azoto hanno mostrato ordini di grandezza meno reattivi che se dissociati in forma atomica. Pertanto, la formazione di ossido utilizzando ossigeno molecolare richiede tipicamente temperature elevate e/o lunghi periodi di ossidazione, mentre l'azoto molecolare non mostra quasi nessuna reattività per molti materiali. Così le specie dissociate stanno aumentando la reattività di molti ordini di grandezza e quindi permettono di coltivare ossidi o nitruri a bassa pressione e a temperature ragionevoli del substrato. Tuttavia, le specie ioniche generate nei processi plasmatici tendono ad essere energetiche e possono creare difetti puntuali. D'altra parte, le specie atomiche hanno un'energia cinetica trascurabile e quindi consentono una rapida crescita del film senza generare difetti.