Sorgente di fasci di elettroni UNI-Bulb®

Sorgente al plasma UNI-Bulb RF per ossigeno, azoto e idrogeno Ottimizzare la produzione di dispositivi elettronici e optoelettronici Ottieni le condizioni ottimali per la crescita in GaN di materiali elettronici e optoelettronici, oltre ad una stabilità e riproducibilità senza pari del plasma, dalla sorgente al plasma Uni-Bulb RF di Veeco. Il tubo di ingresso del gas PBN in un unico pezzo e la lampadina al plasma si combina con la doppia bobina coassiale RF per un eccellente accoppiamento di potenza e rimozione del calore. Sono disponibili diverse opzioni di design, tra cui piastre di apertura personalizzate, per migliorare ulteriormente le prestazioni di GaNenhance. Descrizione Un plasma gassoso è uno strumento efficace per la conversione di gas di origine altamente stabili come N2 o H2 in specie atomiche e molecolari più attive adatte alla crescita di MBE. La lampada Veeco UNI-Bulb è dotata di un tubo di ingresso del gas PBN monoblocco brevettato e di una lampadina al plasma per eliminare le fughe di gas intorno alla lampadina. Il plasma che ne risulta è altamente stabile e riproducibile, consentendo molte ore di funzionamento senza dover effettuare una nuova regolazione della sorgente. Piastre di apertura intercambiabili sono disponibili in configurazioni di diversa conduttanza del gas per la crescita di GaN, materiali misti As/N, doping dell'azoto, pulizia all'idrogeno e crescita assistita dall'idrogeno. Il design del foro di uscita riduce al minimo il contenuto di ioni nel fascio, mentre le specie neutre attive (atomiche e molecolari) sono dirette verso il substrato. Per la maggior parte dei sistemi MBE commerciali sono disponibili piastre di apertura ad alta uniformità personalizzate che consentono un'uniformità tipica di ±1%.