Sistema MBE di GENxcel R&D MBE
Strati epitassiali di alta qualità su substrati fino a 4" di diametro
Il nuovo e pluripremiato sistema GENxcel™ si espande su GENxplor™, il sistema MBE più venduto dalla sua introduzione nell'agosto 2013, con una crescita epitassiale di alta qualità su singoli substrati da 4" rispetto alle capacità da 3" del sistema GENxplor. Il sistema GENxcel è caratterizzato da un sistema di trasferimento manuale facile da usare, 12 porte sorgente e moderna elettronica completamente integrata in un unico telaio per la massima efficienza dell'ingombro in laboratorio
Strati epitassiali di alta qualità su substrati fino a 4" di diametro
L'esclusiva architettura a cornice singola migliora la facilità d'uso, offre un comodo accesso alle fonti e una maggiore facilità di manutenzione
Il design efficiente e all-in-one combina il sistema manuale con l'elettronica di bordo per un risparmio di spazio in laboratorio del 40% rispetto ad altri sistemi MBE
Ideale per ricerche all'avanguardia su un'ampia gamma di materiali come GaAs, nitruridi e ossidi
Il software Molly® integra una facile scrittura delle ricette, un controllo automatico della crescita e una registrazione dei dati sempre attiva
Riscaldatore opzionale per substrati ad altissima temperatura Nova™ per prestazioni comprovate a 1850°
Scalabilità diretta ai sistemi MBE GEN20™, GEN200® e GEN2000® MBE
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