Tecnologia di reattore a fette singole per dispositivi di alimentazione efficienti a base di GaN
Il sistema MOCVD Propel™ Power GaN MOCVD di Veeco è progettato specificamente per l'industria dell'elettronica di potenza. Dotato di una piattaforma reattore mono-wafer, in grado di elaborare wafer da sei e otto pollici, il sistema deposita film GaN di alta qualità per la produzione di dispositivi elettronici di potenza ad alta efficienza. Il reattore monovascafo si basa sul progetto leader di Veeco TurboDisc® con una tecnologia rivoluzionaria, incluse le nuove tecnologie IsoFlange™ e SymmHeat™ che forniscono un flusso laminare omogeneo e un profilo di temperatura uniforme sull'intero wafer. I clienti possono trasferire facilmente i processi dai sistemi Veeco K465i™ e MaxBright™ alla piattaforma Propel Power GaN MOCVD.
Eccezionale uniformità del film, resa e prestazioni del dispositivo
Presenta lunghe campagne pubblicitarie e bassi difetti di particelle per una resa e una flessibilità eccezionali
I rapidi cicli di apprendimento accelerano la transizione del GaN-on-Si R&D verso la produzione di grandi volumi di produzione
Design modulare per facilitare la configurazione, il funzionamento e la manutenzione
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