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Macchina per deposizione per MOCVD Propel™ Power
di film sottili

macchina per deposizione per MOCVD
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Caratteristiche

Metodo
per MOCVD
Tipo di deposito
di film sottili

Descrizione

Tecnologia di reattore a fette singole per dispositivi di alimentazione efficienti a base di GaN Il sistema MOCVD Propel™ Power GaN MOCVD di Veeco è progettato specificamente per l'industria dell'elettronica di potenza. Dotato di una piattaforma reattore mono-wafer, in grado di elaborare wafer da sei e otto pollici, il sistema deposita film GaN di alta qualità per la produzione di dispositivi elettronici di potenza ad alta efficienza. Il reattore monovascafo si basa sul progetto leader di Veeco TurboDisc® con una tecnologia rivoluzionaria, incluse le nuove tecnologie IsoFlange™ e SymmHeat™ che forniscono un flusso laminare omogeneo e un profilo di temperatura uniforme sull'intero wafer. I clienti possono trasferire facilmente i processi dai sistemi Veeco K465i™ e MaxBright™ alla piattaforma Propel Power GaN MOCVD. Eccezionale uniformità del film, resa e prestazioni del dispositivo Presenta lunghe campagne pubblicitarie e bassi difetti di particelle per una resa e una flessibilità eccezionali I rapidi cicli di apprendimento accelerano la transizione del GaN-on-Si R&D verso la produzione di grandi volumi di produzione Design modulare per facilitare la configurazione, il funzionamento e la manutenzione

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.