MOSFET non specificato SIR5402DP

Panoramica
MOSFET canale N 40 V (D-S) in tecnologia TrenchFET® Gen IV progettato per applicazioni di commutazione di potenza e inverter.

Caratteristiche principali

• TrenchFET® Gen IV livello standard
• Design High Vth per ridurre il rumore e migliorare la stabilità del gate
• Rapporto Qgd / Qgs ottimizzato per commutazione efficiente

Documentazione

• Scheda tecnica — MOSFET canale N 40 V (D-S) (SIR5402DP)
• Informazioni marcatura — dettagli di marcatura per varianti PowerPAK® e PowerPAIR®
• PAD Pattern — PAD minimi raccomandati per PowerPAK® SO-8 Single
• App Note AN821 — montaggio e considerazioni termiche per PowerPAK® SO-8
• Informazioni reel — dati di confezionamento su bobina
• Informazioni tape — specifiche tape per PowerPAK® SOIC-8
• Informazioni package — disegni e dettagli per PowerPAK® SO-8 (Single/Dual)
• Affidabilità package — dati di test ambientali e del package per il processo di saldatura PowerPAK® SO-8
• Affidabilità prodotto — dati di affidabilità del processo 530MC SG
• Guida alla selezione — MOSFET per soluzioni di alimentazione server AI

Note aggiuntive

• Modelli ECAD disponibili per il download (Ultra Librarian)
• Link Acquista / Richiedi campione disponibili sulla pagina prodotto

Specifiche

• Modello: SIR5402DP
• Tipo di dispositivo: MOSFET canale N
• Tensione drain-source (VDS): 40 V (D-S)
• Processo / tecnologia: TrenchFET® Gen IV (livello standard)
• Caratteristiche di progetto: High Vth per ridurre il rumore; rapporto Qgd / Qgs ottimizzato
• Opzioni di package: PowerPAK® SO-8 e più varianti PowerPAK® / PowerPAIR® (vedere documentazione)
• Documentazione tipica: scheda tecnica, marcatura, raccomandazioni PAD/landpattern, app note montaggio/termico, informazioni reel/tape, disegni package, dati di affidabilità, guida alla selezione
• Riferimento pagina prodotto Vishay: 61684