Gate driver IGBT VO seriesMOSFET
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Caratteristiche
- Specificazioni
- IGBT, MOSFET
Descrizione
Il driver MOSFET fotovoltaico LH1262CB, LH1262CAC è costituito da due LED accoppiati otticamente a due array di fotodiodi. Il gruppo di fotodiodi fornisce una sorgente flottante con tensione e corrente adeguate per pilotare i transistor MOSFET ad alta potenza
mOSFET ad alta potenza. L'accoppiamento ottico fornisce una tensione di isolamento I/O elevata. Per spegnere il MOSFET, è necessaria una resistenza esterna (gate-to-source) per la scarica del gate.
CARATTERISTICHE
- Alta tensione a circuito aperto
- Elevata corrente di cortocircuito
- Tensione di prova di isolamento 5300 VRMS
- Ingresso compatibile con la logica
- Elevata affidabilità
APPLICAZIONI
- Driver high-side
- Relè a stato solido
- Alimentazione flottante
- Controllo dell'alimentazione
- Acquisizione dati
- ATE
- Commutazione isolata
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Cataloghi
VOM1271 SOLID-STATE RELAYS
7 Pagine
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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.