Fototransistor IGBT H11 seriesdi commutazioneSMDin GaAs
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Caratteristiche
- Tipo
- IGBT
- Tecnologia
- di commutazione
- Altre caratteristiche
- in silicio, SMD, in GaAs
- Corrente
50,5 A, 60 A, 75 A
- Tensione
Max.: 300 V
Min.: 32 V
Descrizione
Optoaccoppiatore, uscita fototransistor, con connessione alla base, alta tensione BVCEO
CARATTERISTICHE
Tensione di rottura collettore-emettitore BVCEO molto elevata
Tensione di prova di isolamento: 5000 VRMS
Bassa capacità di accoppiamento
APPLICAZIONI
Telecomunicazioni
Controlli industriali
Apparecchiature alimentate a batteria
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