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Fototransistor IGBT H11 series
di commutazioneSMDin GaAs

Fototransistor IGBT - H11 series - VISHAY - di commutazione / SMD / in GaAs
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di commutazione
Altre caratteristiche
in silicio, SMD, in GaAs
Corrente

50,5 A, 60 A, 75 A

Tensione

Max.: 300 V

Min.: 32 V

Descrizione

Optoaccoppiatore, uscita fototransistor, con connessione alla base, alta tensione BVCEO CARATTERISTICHE Tensione di rottura collettore-emettitore BVCEO molto elevata Tensione di prova di isolamento: 5000 VRMS Bassa capacità di accoppiamento APPLICAZIONI Telecomunicazioni Controlli industriali Apparecchiature alimentate a batteria

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