Tubo di ceramica

di nitrito di boro

Il nitruro di boro esagonale ha una microstruttura simile a quella della grafite. In entrambi i materiali questa struttura, costituita da strati di minuscole piastrine, è responsabile di un'eccellente lavorabilità e di proprietà a basso attrito. abbiamo chiamato nitruro di boro esagonale (HBN) o grafite bianca. Materiale della ceramica di nitruro di boro Nitruro di boro pirolitico: 99,99% nitruro di boro* UHB: >99,7% Nitruro di boro HB: >99% Nitruro di boro BC: >97,5% Nitruro di boro BAN: Nitruro di boro + nitruro di alluminio BMZ: Nitruro di boro + ossido di zirconio BMA: Nitruro di boro + ossido di zirconio + ossido di alluminio BSC: Nitruro di boro + Carburo di silicio BMS: Nitruro di boro + ossido di silicio + ossido di alluminio BSN: Nitruro di boro + Nitruro di silicio Lavorazione della ceramica di nitruro di boro Sinterizzazione a caldo Deposizione chimica da vapore Applicazioni della ceramica di nitruro di boro Gestione termica L'eccellente isolamento elettrico e la conducibilità termica rendono il BN molto utile come dissipatore di calore nelle applicazioni elettroniche ad alta potenza. Le sue proprietà sono paragonabili a quelle dell'ossido di berillio, dell'ossido di alluminio e di altri materiali per l'imballaggio elettronico e sono facilmente lavorabili nelle forme e dimensioni desiderate. Ambienti ad alta temperatura La stabilità della temperatura e l'eccellente resistenza agli shock termici rendono il BN il materiale ideale negli ambienti ad alta temperatura più difficili, come le apparecchiature per la saldatura ad arco al plasma, i wafer con sorgente di diffusione e le apparecchiature per la crescita dei cristalli dei semiconduttori. Manipolazione del metallo fuso Il BN è inorganico, inerte, non reattivo con i sali alogenati e i reagenti e non viene bagnato dalla maggior parte dei metalli fusi e delle scorie. Queste caratteristiche, unite alla bassa espansione termica, lo rendono ideale per i materiali di interfaccia utilizzati in vari processi di metalli fusi.