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Tensione diretta: 1,5 V - 3 V
Tensione inversa: 600, 1.250, 650 V
... I diodi a recupero rapido di Renesas offrono tempi di recupero rapidi per la rettifica in applicazioni ad altissima frequenza. ...
... I diodi di rumore di Noisecom sono gli elementi fondamentali dei sistemi di rumore analogici. Sono classificati per caratteristiche di prestazione che ne migliorano l'emissione di rumore a banda larga e la risposta spettrale piatta. Tutti ...
Tensione diretta: 4 V
Tensione inversa: 40, 45, 100 V
... Raddrizzamento dell'uscita, protezione della polarità Applicazioni tipiche Dispositivi alimentati a batteria Raddrizzamento dell'uscita in Convertitori CC/CC Protezione dalla polarità Diodi a ruota libera Grado commerciale Suffisso ...
Diotec
Tensione diretta: 0,5 V - 0,85 V
Tensione inversa: 20 V - 150 V
... Applicazioni tipiche Raddrizzamento dell'uscita nei convertitori DC/DC Convertitori, protezione dalla polarità, Diodi a ruota libera Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Compilato AEC-Q101 り Suffisso -AQ: qualificato AEC-Q101 う Caratteristiche Bassa ...
Diotec
Tensione diretta: 1 V
Tensione inversa: 30 V
... Applicazioni tipiche Elaborazione del segnale Commutazione ad alta velocità commutazione Protezione dalla polarità Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101 ') Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 l) Caratteristiche Velocità ...
Diotec
Tensione inversa: 600 V
... Descrizione I diodi Qspeed™ hanno il QRRR più basso di qualsiasi altro diodo al silicio. Le loro caratteristiche di recupero aumentano l'efficienza, riducono l'EMI ed eliminano gli snubber. Caratteristiche del prodotto Caratteristiche Ora ...
Power Integrations
Tensione inversa: 40 V - 1.600 V
... campagna di miniaturizzazione, è nata una nuova generazione di diodi a chip di Bourns che offre la possibilità di fornire un diodo al silicio con un imballaggio minimo. I diodi chip 0603, 1005 e 1206 a piccolo segnale ...
... Configurazione: Bidirezionale Descrizione/ Controlli: 1500W, 100V, 10%, bidirezionale, TVS Famiglia:TVS IPP (A): 10,9 IR (µA):1 PPK (W):1500 Pacchetto:DO-201 Stato:Attivo TJ Max. (°C):175 Tolleranza ± (%):10 VBR Max. (V):110 VBR Min. ...
Tensione diretta: 280, 380, 330, 340 V
Tensione inversa: 4.500, 5.500, 6.000 V
Diodes can be subdivided into two main classes: Rectifier diodes (standard recovery) and fast diodes. Rectifier diodes are generally used for conversion of AC (alternating current) to DC (direct current). While optimized for low conduction ...
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Tempo di recupero più breve Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata capacità di corrente di picco ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 30 V - 200 V
Tensione inversa: 0,4 V - 0,9 V
... STMicroelectronics fornisce strumenti che consentono ai progettisti di trovare rapidamente il raddrizzatore a effetto di campo o il diodo Schottky più adatto alla loro applicazione utilizzando il nostro simulatore online ...
STMicroelectronics
Tensione inversa: 5 V - 250 V
... transitori ad alta tensione. Le loro giunzioni p-n hanno una sezione trasversale più ampia rispetto a quella di un normale diodo, consentendo loro di condurre a terra grandi correnti senza subire danni. SETsafe | SETfuse ...
Xiamen SET electronics Co.,Ltd
Tensione diretta: 10 V - 120 V
Tensione inversa: 100 V - 1.200 V
... Diodi e raddrizzatori - Diodi di media e alta potenza I raddrizzatori di media e alta potenza sono disponibili in diverse confezioni, tra cui capsule puk da hockey e prigionieri a vite, con classi di tensione da 50 V a 4600 V e valori ...
VISHAY
Tensione diretta: 0,23 V - 1,18 V
Tensione inversa: 2 V - 250 V
... Diodi e raddrizzatori schottky a bassa e alta corrente. ...
ON Semiconductor
Tensione diretta: 3,3 V - 24 V
Tensione inversa: 4 V - 26,2 V
... Accensione rapida Bassa tensione di bloccaggio Elevata tensione di resistenza ESD Protezione unidirezionale o bidirezionale Pacchetto di dimensioni ridotte Resistente alla fiamma epossidica UL94 V-0 Applicazioni Alimentazione DC Consegna ...
Würth Elektronik eiSos
Tensione inversa: 200 V - 1.000 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE Serie CMMR1 di Raddrizzatori ad alta densità di corrente, in un SOD-123F pacchetto a montaggio superficiale sono progettati per tutti i tipi di computer commerciali, industriali e automobilistici applicazioni. ...
Central Semiconductor
Tensione diretta: 0,38 V - 0,95 V
Tensione inversa: 20 V - 200 V
... Gamma di tensione di distanziamento inverso da 1.000 V a 20.000 V Gamma media di corrente rettificata a termine da 0,2A a 0,75A ...
Frontier Electronics, Corp.
Tensione diretta: 25 V - 550 V
Tensione inversa: 20 kV - 450 kV
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
Tensione diretta: 1,05 V
Tensione inversa: 200, 400 V
Diodo di Saldatura D053-7100 AS ENERGITM sono disponibili con corrente di andata I FAV di 7100A e tensioni di blocco inverse V RRM of 200V, 400V. Serie di diodi D053-7100: D053-7100-2-N, D053-7100-4-N. Caratteristiche ...
AS ENERGI GLOBAL LLC
Diodes Incorporated
Tensione inversa: 400, 600, 1.000 V
... Breve tempo di recupero inverso Bassa carica immagazzinata Eccellenti capacità di sovratensione Tipi standard JEDEC Versioni con catodo a perno e anodo a perno Condizioni di recupero inverso completamente caratterizzate Conforme alla ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
Tensione diretta: 12 V
Tensione inversa: 12 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. Basse perdite, resistenza all'urto, rottura da valanga protezione, ecc. 2. Di piccole dimensioni, facile da installare, adatto alla produzione automatica. 3. Caratteristiche di commutazione ad alta ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensione inversa: 20 kV
... E' UN PO' TROPPO TARDI: L'assemblea del raddrizzatore del silicio ad alta tensione del silicio di Rongtech è fatta del chip della cialda del silicio di alta qualità e della struttura di sigillamento dell'epossiresina di alta affidabilità ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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