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Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V
... gestione dell'alimentazione a livello scheda quando è richiesto un
MOSFET canale P in DPAK.
Caratteristiche tecniche / specifiche
- Tipo di dispositivo: MOSFET di potenza canale P
- VDS
Infineon Technologies AG
Corrente: 40 A
Tensione: 40 V
... Breve descrizione
Il BSZ063N04LS6 è un
MOSFET di potenza a canale N OptiMOS 6, 40 V, progettato per SMPS, caricabatterie e applicazioni di ORing. Offre una riduzione del RDS(on) di circa il 30% rispetto alla generazione precedente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 61 A
Tensione: 600 V
... ambienti di produzione grazie all'eliminazione dei guasti ESD La RG integrata riduce la sensibilità alle oscillazioni del MOSFET Il MOSFET è adatto a topologie di commutazione sia rigide che risonanti, come PFC e LLC Eccellente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 61 A
Tensione: 600 V
... ambienti di produzione grazie all'eliminazione dei guasti ESD La RG integrata riduce la sensibilità alle oscillazioni del MOSFET Il MOSFET è adatto a topologie di commutazione sia rigide che risonanti, come PFC e LLC Eccellente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 61 A
Tensione: 600 V
... ambienti di produzione grazie all'eliminazione dei guasti ESD La RG integrata riduce la sensibilità alle oscillazioni del MOSFET Il MOSFET è adatto a topologie di commutazione sia rigide che risonanti, come PFC e LLC Eccellente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 20 A
Tensione: 600 V
... ambienti di produzione grazie all'eliminazione dei guasti ESD La RG integrata riduce la sensibilità alle oscillazioni del MOSFET Il MOSFET è adatto a topologie di commutazione sia rigide che risonanti, come PFC e LLC Eccellente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 18 A
Tensione: 600 V
... ambienti di produzione grazie all'eliminazione dei guasti ESD La RG integrata riduce la sensibilità alle oscillazioni del MOSFET Il MOSFET è adatto a topologie di commutazione sia rigide che risonanti, come PFC e LLC Eccellente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 9 A
Tensione: 600 V
... ambienti di produzione grazie all'eliminazione dei guasti ESD La RG integrata riduce la sensibilità alle oscillazioni del MOSFET Il MOSFET è adatto a topologie di commutazione sia rigide che risonanti, come PFC e LLC Eccellente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 101 A
Tensione: 600 V
... ambienti di produzione grazie all'eliminazione dei guasti ESD La RG integrata riduce la sensibilità alle oscillazioni del MOSFET Il MOSFET è adatto a topologie di commutazione sia rigide che risonanti, come PFC e LLC Eccellente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 101 A
Tensione: 600 V
... ambienti di produzione grazie all'eliminazione dei guasti ESD La RG integrata riduce la sensibilità alle oscillazioni del MOSFET Il MOSFET è adatto a topologie di commutazione sia rigide che risonanti, come PFC e LLC Eccellente ...
Infineon Technologies AG
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