Microscopio elettronico a scansione SU9600

per misurazioni su film sottilida ricercaper ricerca sui materiali

Panoramica
Il SU9600 (T)SEM è un microscopio elettronico a scansione modulare e ibrido che unisce un UHR-SEM ad altissima risoluzione e capacità STEM analitiche con un palco campione compatibile TEM. Consente analisi correlative di superficie e di elettroni trasmessi su una piattaforma ad alta stabilità, supportando UHR-SEM, STEM, 4D-STEM*, EELS* e nano-EDS* per imaging ad alta risoluzione rapido e caratterizzazione multimodale dei materiali.

Punti chiave

• Integrazione di UHR-SEM e STEM analitico su un'unica piattaforma stabile
• Imaging ad altissima risoluzione da 10 V a 30 kV per analisi di superficie e struttura
• Cannone a emissione da campo freddo, lente obiettivo ad immersione totale e palco TEM (0,34 nm garantiti @ 30 kV; ~0,2 nm raggiungibile)

Caratteristiche e vantaggi

• Rilevazione completa di elettroni riflessi e trasmessi con filtraggio in energia e angolare
• Correlazione del contrasto SE/BSE di superficie con immagini BF/ADF/STEM e dati spettrali (EELS/EDS)
• Analisi elementare sub-nanometrica con rivelatore EDS senza finestra e alto angolo solido
• Accesso a misure avanzate delle proprietà dei materiali tramite EELS e 4D-STEM

Dettagli tecnici

• Emissione a campo freddo di nuova generazione con NEG per alta brillantezza e ridotta aberrazione cromatica (opzione EELS)
• Lente ad immersione totale abbinata a palco di tipo TEM per risoluzione e stabilità meccanica ottimali
• Imaging ad alta risoluzione su 0,5–30 kV (0,34 nm garantiti @ 30 kV; ~0,2 nm raggiungibile)
• Palco TEM e supporto double-tilt per orientamento rapido in sezione e allineamento asse di zona (opzionale)
• Compatibilità con supporti criogenici e MEMS (opzionale)

Capacità analitiche

• EDS sub-nm con rivelatore senza finestra ad alto angolo solido per mappatura elementare nanoscopica rapida
• 4D-STEM con rilevazione diretta veloce degli elettroni che abilita DPC, ptychography, mappatura di deformazione e fase; aperture virtuali generano immagini BF/DF/diffrazione selezionata
• EELS a basso kV: imaging elementare in tempo reale, spettroscopia core-loss e plasmon-loss; il FEG freddo fornisce risoluzione energetica di ~0,35 eV

Applicazioni

• Nanomateriali: mappatura della distribuzione elementare, composizione di nanofili, imaging della rete
• Film sottili: morfologia di superficie e analisi della struttura dei grani
• Analisi elementare: composizione e mappatura a scala nanometrica (es. sistemi Ag/Cu)
• Semiconduttori: imaging della rete atomica e analisi di diffrazione

Specifiche
Risoluzione immagine SE: 0,4 nm @ 30 kV; 1,0 nm @ 1 kV; 0,6 nm @ landing 1 kV (con supporto di decelerazione e rilevatore superiore opzionali)
Risoluzione immagine STEM: 0,34 nm @ 30 kV (imaging di rete, opzione)
Tensione di accelerazione: 0,5 a 30 kV
Tensione di atterraggio: 0,01 a 20 kV
Spostamento immagine elettrico: fino a ±5 mm (altezza del campione = 0,0 mm)
Corsa del palco: X: ±4,0 mm, Y: ±2,0 mm, Z: ±0,3 mm, T: ±40°
Dimensione campione - palco piatto: 5,0 mm × 9,5 mm × 3,5 mm (H) max
Dimensione campione - palco sezione: 2,0 mm × 6,5 mm × 5,0 mm (H) max

Note
* Opzionale dove indicato. Funzionalità come 4D-STEM, EELS e alcuni supporti possono essere opzionali a seconda della configurazione.