Modulo di memoria DRAM H58G76BK8HX095N

Modulo di memoria DRAM - H58G76BK8HX095N - Hynix
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Caratteristiche

Tipo
DRAM
Memoria

16 GB

Descrizione

Alta velocità e basso consumo per la telefonia mobile Diversi e onnipresenti L'ampia gamma di DRAM a basso consumo di SK hynix, tra cui LPDDR4 e LPDDR4X, è presente non solo negli smartphone, ma anche nell'ampio spettro dell'elettronica di consumo, dalle fotocamere digitali ai dispositivi portatili per il gioco e la navigazione, fino all'infotainment automobilistico e ai sistemi avanzati di assistenza alla guida. Personalizzabile in base alle esigenze del dispositivo LPDDR4 e LPDDR4X sono disponibili in una gamma versatile di pacchetti a due canali con densità di die da 4 a 24 Gb, da scegliere e configurare in base alle esigenze di ciascun cliente. Notevoli risparmi energetici Grazie a operazioni di I/O più efficienti dal punto di vista energetico, LPDDR4X può funzionare con solo il 55% dell'energia richiesta da LPDDR4, con un risparmio energetico del 45%.

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