Modulo di memoria DRAM H5WRAGESM8W-N8L

rapido

La DRAM più veloce con dissipazione del calore migliorata La soluzione DRAM più veloce SK hynix 1ynm 16Gb HBM2E è la memoria più veloce del settore con una velocità di I/O di 3,6 Gbps, in grado di elaborare 460 GB di dati al secondo utilizzando 1.024 I/O. Con una dissipazione del calore migliore del 36% rispetto alla precedente HBM2, la nostra nuova HBM2E è una memoria veramente efficiente con prestazioni robuste per il vostro sistema. Tendenza delle prestazioni HBM SK hynix guida il mercato HBM con l'ambizione di soluzioni HBM ancora più veloci: La nostra HBM3, in fase di sviluppo, sarà in grado di elaborare dati a una velocità di 819 GB/s o superiore, con velocità di 6,4 Gbps per pin. Con un'efficienza energetica più che doppia a parità di carico di lavoro rispetto a DDR o GDDR, l'HBM riduce il TCO complessivo, cogliendo l'essenza della nostra iniziativa Memory ForEST*. Miglioramento termico La nostra HBM2E ha una dissipazione del calore migliore del 36% rispetto alla HBM2, il che le consente di rimanere in media 14 gradi celsius più fredda nelle stesse condizioni operative. Miglioramento della larghezza di banda fino a 9 volte, capacità 2 volte su base genetica Rispetto alla larghezza di banda di 2,4 GB/s delle DDR5 e di 64 GB/s delle GDDR6, l'HBM2E è fino a 9 volte più veloce, elaborando 460 GB di dati al secondo. HBM2E raddoppia anche la densità rispetto alla precedente generazione di HBM2, realizzando una soluzione da 16 GB con una combinazione di otto die DRAM da 16 Gb, rispetto alla densità di core die da 8 Gb di HBM2.