Modulo di memoria HBM3E

La HBM3E continua a guidare il mercato dell'IA SK hynix ha lanciato la HBM3E per consolidare la sua leadership senza rivali nel mercato delle memorie AI dopo il successo ottenuto con la HBM3. La versione estesa della HBM3 contribuisce ad accelerare il turnaround del business con la sua fornitura a seguito della più grande produzione di massa di HBM del settore. miglioramento del 10% della resistenza termica e dell'efficienza energetica SK hynix è stata la prima a sviluppare la tecnologia di imballaggio MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill). Questa tecnica, che unisce simultaneamente i chip tramite rifusione e riempie gli spazi vuoti con materiale liquido, è significativa per lo sviluppo di HBM altamente termoconduttive. Insieme alla tecnologia di controllo dei chip, non solo si evita la deformazione dei wafer, ma è stato aggiunto un nuovo materiale di riempimento per dissipare ulteriormente il calore. L'avanzato MR-MUF ha migliorato la dissipazione del calore dell'HBM3E del 10% rispetto alla generazione precedente, mentre l'efficienza energetica è migliorata del 10%. capacità e larghezza di banda x1,5 con le stesse dimensioni del contenitore L'HBM3E offre una capacità massima di 36 GB e una velocità massima di trasferimento dati per pin di 9,2 Gbps, mentre la larghezza di banda massima supera 1,18 TB al secondo, con un miglioramento di 1,4 volte rispetto all'HBM3 sia in termini di capacità che di larghezza di banda.