Modulo di memoria DRAM MCRDIMM
SDRAMDDR5

Modulo di memoria DRAM - MCRDIMM - Hynix - SDRAM / DDR5
Modulo di memoria DRAM - MCRDIMM - Hynix - SDRAM / DDR5
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Caratteristiche

Tipo
DRAM, DDR5, SDRAM
Memoria

Min.: 32 GB

Max.: 128 GB

Descrizione

Modulo con tecnologia Multiplexer Combined Ranks SK hynix ha sviluppato MCRDIMM (Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Modules) specializzati per il calcolo ad alte prestazioni, che migliorano l'ampiezza di banda accedendo simultaneamente ai ranghi all'interno di un sottocanale basato su dispositivi SDRAM DDR5 da 16Gb o 24Gb. Larghezza di banda che supera facilmente gli 8 Gbps Il nostro MCRDIMM DDR5 da 16Gb o 24Gb opera a una velocità di trasferimento dati di 8,8Gbps, offrendo un aumento delle prestazioni di almeno il 37% rispetto ad altri prodotti DDR5 con una velocità di trasferimento dati di 6,4Gbps. In genere, quando la velocità di calcolo della CPU supera la velocità di elaborazione della DRAM, si verifica un collo di bottiglia nelle prestazioni a causa del crescente divario nelle velocità di elaborazione. Sviluppando MCRDIMM che offrono un'elevata larghezza di banda, risolviamo questo *collo di bottiglia, migliorando le prestazioni dei server per AI e HPC. *Collo di bottiglia: Un collo di bottiglia si riferisce a una congestione del flusso di traffico, che spesso si verifica in punti come ponti o ingressi di gallerie con larghezze stradali variabili, con conseguenti ingorghi dovuti ai tempi di attesa ai segnali stradali. In informatica, indica un rallentamento delle prestazioni del sistema e una riduzione dell'efficienza dei processi, causati in genere da una mancata corrispondenza dei componenti all'interno di un sistema informatico. Come funziona l'MCRDIMM Facilitando il funzionamento simultaneo di due ranghi, l'MCRDIMM consente la trasmissione di 128 byte di dati alla CPU in una sola volta, rispetto ai 64 byte tipicamente recuperati dai moduli DRAM convenzionali. Questo aumento della quantità di dati inviati alla CPU ogni volta supporta il doppio della velocità di una singola DRAM.

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