Modulo di memoria DRAM H5UG7HME03X020R

DDR5

La DRAM definitiva per i nuovi orizzonti della memoria di fascia alta La prima HBM3 al mondo sviluppata nell'ottobre 2021 In soli 15 mesi dal lancio della produzione di massa di HBM2E, SK hynix ha consolidato la sua leadership nelle DRAM ad alta velocità sviluppando una HBM3, la più recente memoria ad alta larghezza di banda per le tecnologie all'avanguardia nei data center, nei supercomputer e nell'IA. Dissipazione termica avanzata La HBM3 funziona a temperature inferiori rispetto alla HBM2E a parità di tensione operativa, migliorando la stabilità dell'ambiente del sistema server. A temperature operative equivalenti, la SK hynix HBM3 è in grado di supportare stack di 12-die, ovvero una capacità 1,5 volte superiore a quella della HBM2E, e velocità di I/O di 6 Gbps per una larghezza di banda 1,8 volte superiore. Con una maggiore capacità di raffreddamento a parità di condizioni operative, SK hynix porta avanti la sua iniziativa Memory ForEST*. Aumento delle prestazioni La SK hynix HBM3, con una capacità 1,5 volte superiore a quella della HBM2E grazie a 12 die DRAM impilati alla stessa altezza totale del package, è adatta ad alimentare applicazioni ad alta intensità di capacità come AI e HPC. Un singolo cubo può fornire fino a 819 GB/s di larghezza di banda, mentre un SiP (System-in-Package) con sei chip HBM sullo stesso silicio può raggiungere fino a 4,8 TB/s a supporto delle richieste exascale. ECC on-die La HBM3 di SK hynix è dotata anche di un robusto ECC (Error Correcting Code) on-die progettato su misura, che utilizza bit di parità preassegnati per controllare e correggere gli errori nei dati ricevuti. Il circuito incorporato consente alla DRAM di autocorreggere gli errori all'interno delle celle, migliorando in modo significativo l'affidabilità del dispositivo.