Macchina di ispezione ottica 29xx

per wafer incisoper l'industria elettronicaalta risoluzione

I sistemi di ispezione dei difetti al plasma a banda larga 2965 e 2950 EP rappresentano un progresso nell'ispezione dei difetti ottici, consentendo di scoprire i difetti critici per la resa su nodi logici ≤5nm e nodi di progettazione di memorie all'avanguardia. Utilizzando tecnologie avanzate di illuminazione al plasma a banda larga, come la modalità Super-Pixel™ e algoritmi di rilevamento avanzati, gli ispettori 2965 e 2950 EP offrono la sensibilità necessaria per catturare i difetti critici in una gamma di strati di processo, tipi di materiali e stack di processo. Grazie a una banda di lunghezze d'onda che consente di rilevare i difetti critici dei nanosheet, il 2965 consente ai produttori di chip di effettuare il ramping e di produrre chip all'avanguardia con architetture di gate all around transistor. Il 2950 EP include diverse innovazioni a livello di hardware, algoritmi e binning dei difetti che supportano la scoperta e il monitoraggio dei difetti per i dispositivi 3D NAND e DRAM. In quanto standard del settore per il monitoraggio in linea, il 2965 e il 2950 EP abbinano la sensibilità alla velocità di ispezione ottica dei difetti dei wafer, consentendo la scoperta alla velocità della luce (Discovery at the Speed of Light™), ovvero la combinazione di una rapida scoperta dei difetti e di una caratterizzazione completa dei problemi legati ai difetti con un costo di proprietà ottimale. - Sorgente di illuminazione a banda larga DUV, UV e visibile sintonizzabile, con nuovo filtro spettrale - Aperture ottiche selezionabili - Sensore a basso rumore - Modalità di test di ispezione Super-Pixel™ per un'elevata produttività e sensibilità - Algoritmi avanzati di rilevamento dei difetti, tra cui MCAT - iDO™ 3.0 con tecniche avanzate di apprendimento automatico per il binning dei difetti e la soppressione dei disturbi - Algoritmi innovativi per la cattura dei difetti critici di interesse ai bordi delle celle di memoria e per il binning dei difetti nelle fasi critiche del processo di memoria