Sistema di ispezione a raggio eSL10™

a scansione3DAI

Il sistema di ispezione dei difetti dei wafer a fascio elettronico (e-beam) eSL10™ sfrutta la più alta energia di atterraggio e l'alta risoluzione del settore per catturare difetti fisici di piccole dimensioni e ad alto rapporto di aspetto, supportando lo sviluppo del processo e il monitoraggio della produzione per dispositivi logici avanzati, DRAM e NAND 3D. Grazie all'innovativo design dell'ottica elettronica, l'eSL10™ produce un'elevata densità di corrente del fascio con uno spot di dimensioni ridotte e la più ampia gamma di condizioni operative del settore per l'acquisizione di difetti in una serie di strati di processo e strutture di dispositivi impegnativi. La rivoluzionaria modalità di scansione Yellowstone™ supporta il funzionamento ad alta velocità senza compromettere la risoluzione, per un'indagine efficiente di punti caldi sospetti o per la scoperta di difetti in un'ampia area del chip. La tecnologia Simul-6™, unica nel settore, fornisce informazioni sulla superficie, sulla topografia, sul contrasto dei materiali e sulle trincee profonde in un'unica scansione, riducendo il tempo necessario per raccogliere informazioni complete su una varietà di tipi di difetti. Grazie all'intelligenza artificiale (AI) integrata, l'eSL10 impiega gli algoritmi di apprendimento profondo SMARTs™ che discriminano i DOI chiave dai disturbi del modello e del processo, consentendo l'acquisizione e la classificazione dei difetti critici durante le fasi di ricerca e sviluppo e di avviamento. Acquisizione dei difetti ad alta risoluzione, scoperta dei difetti, debug del processo di R&S, analisi ingegneristica, monitoraggio della rampa e della linea di produzione