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Modulo per transistor IGBT QP12W08S-37A
ibrido

Modulo per transistor IGBT - QP12W08S-37A - MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd. - ibrido
Modulo per transistor IGBT - QP12W08S-37A - MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd. - ibrido
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Altre caratteristiche
ibrido
Corrente

8 A

Tensione

Min.: -9 V

Max.: 15 V

Descrizione

QP12W08S-37A è un driver IGBT ibrido integrato progettato con un convertitore DC-DC di isolamento incorporato. Questo dispositivo è un circuito di pilotaggio completamente isolato che consiste in un amplificatore di pilotaggio del gate isolato in modo ottimale e in un convertitore DC-DC isolato. Il gate driver fornisce una funzione di protezione dai guasti basata sul rilevamento della desaturazione e sull'uscita di guasto. CARATTERISTICHE  Alimentazione DC-DC isolata incorporata; topologia di pilotaggio a singola alimentazione  Elevata tensione di isolamento di 3750VAC  Frequenza del segnale di ingresso fino a 20kHz  Circuito di guasto incorporato con un pin per il feedback di guasto  Segnale di azionamento ignorato durante il tempo di blocco, ripristino del circuito di guasto al termine del tempo di blocco  Tempo di controllo regolabile del circuito di rilevamento dei guasti  Tempo di spegnimento morbido di protezione regolabile  Pacchetto SIP IGBT abbinato  IGBT serie 600V (corrente ≤600A)  IGBT serie 1.200V (corrente ≤400A)  IGBT serie 1.700V (corrente ≤200A) Applicazioni  Inverter universale  Sistema di servoazionamento CA  Gruppo di continuità (UPS)  Saldatrice elettrica

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