Linea di trattamento chimica InEtchSide 4

umidaper celle solari

Incisione posteriore di nuova generazione ad alta produttività L'apparecchiatura di lavorazione automatizzata RENA InEtchSide è progettata per la rimozione ad altissima produttività di strati di ossido di silicio e vetri drogati (ad esempio PSG o BSG). Il collaudato e ottimizzato processo di incisione su un solo lato, brevettato, garantisce un attacco chimico frontale minimo. Viene utilizzato nella fabbricazione di celle solari ad alta efficienza, come IBC, PERC, TOPCon e altre. Lo strumento si basa sulla piattaforma in linea NIAK 4 di RENA. Caratteristiche e vantaggi Incisione chimica a umido su un solo lato completamente automatizzata - In linea su 10-12 corsie Rimozione su un solo lato di ossido di silicio (SiO2), vetri drogati (PSG/BSG) Tecnologia RENA Fast Etch: possibilità di lavorazione a T > RT Utilizza HF per la lavorazione su un solo lato (chimica aggiuntiva opzionale, ad es. HCl o BHF) Risciacquo e asciugatura dei wafer integrati Lunga durata del bagno grazie alla funzione feed-andbleed Tasso di rottura più basso del settore Basato sulla più recente piattaforma di trattamento in linea RENA NIAK 4 Elevato tempo di attività Facile manutenzione Opzioni Interfaccia MES (SECS/GEM) Armadio per l'alimentazione chimica Stazione di pompaggio per lo scarico dei prodotti chimici/acqua di scarico Sensori per il controllo del processo (ad es. pH, conduttività) Aree di applicazione Incisione dell'ossido sul lato posteriore per celle solari ad alta efficienza Rimozione di SiO2, PSG o BSG da un solo lato Completamente compatibile con le tecnologie PERC, IBC e TOPCon