InPolySide® 3+ offre un'incisione superiore del lato posteriore e dei bordi per le applicazioni TOPCon. L'avvolgimento di Poly-Si da LPCVD e PECVD viene eliminato. Grazie all'elevata produttività e alla completa flessibilità delle dimensioni dei wafer, è lo strumento pronto per la prossima generazione di celle solari. Progettato come soluzione salvaspazio con un unico strumento, InPolySide® copre le fasi di incisione pre-ossido, poli-incisione, pulizia o incisione del vetro e risciacquo. Non è necessaria alcuna manipolazione aggiuntiva dei wafer.
Aree di applicazione
Tecnologia TopCon
Possibilità di aggiornamento da PERC
Incisione su un solo lato e sui bordi di Poly-Si
Caratteristiche e vantaggi
Incisione sui bordi per celle TopCon senza shunt
Processo altamente variabile e noto, adattabile alle richieste dei clienti:
- Basso CoO
- Celle di tipo N
- Emettitore selettivo per tutti i tipi di Poly-Si disponibili (PECVD, LPCVD)
Processo brevettato da RENA
Configurazione hardware e impostazioni di processo altamente ottimizzate
soluzione a 1 strumento
---