Modulo di potenza SiC SEMITOP® E1/E2

modulo di potenza SiC
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Caratteristiche

Specificazioni
SiC

Descrizione

Presentazione dell'ultimo portafoglio SiC Completa il carburo di silicio con pacchetti a bassa induttanza Raggiungete una maggiore densità di potenza con il nuovo portafoglio SEMITOP E1/E2 in carburo di silicio. Con induttanze di commutazione fino a 4nH, i pacchetti SEMITOP E1/E2 sono l'abbinamento perfetto con l'ultima tecnologia SiC. Non solo sono disponibili layout di pin standard industriali, SEMIKRON offre anche un layout che semplifica la progettazione di PCB e il parallelismo dei moduli. Oltre al design del suo pacchetto standard industriale, il SEMITOP E1/E2 offre anche una resistenza termica inferiore fino al 20% rispetto ai design tradizionali. Questa diminuzione permette ai chip di funzionare in modo più freddo, estendendo la durata del prodotto o riducendo lo sforzo di progettazione del raffreddamento Pacchetti standard industriali SEMITOP E1/E2 Bassa induttanza di commutazione, fino a 4nH Sorgente Kelvin e sensore di temperatura inclusi per tutti i moduli Portafoglio da 40A fino a 250A basato su MOSFET SiC da 1200V Topologie half-bridge, H-Bridge, sixpack e TNPC Sicurezza della catena di approvvigionamento grazie al sourcing multiplo fino al livello del chip Alta densità di potenza grazie alla riduzione del 20% di Rth Riduzione della magnetica con alta frequenza di commutazione PCB semplificato con l'ulteriore layout ottimizzato dei pin SEMIKRON

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.