Diodo a giunzione p-n CRF02
SMDdi raddrizzamentoad alta densità

diodo a giunzione p-n
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Caratteristiche

Tecnologia
a giunzione p-n
Montaggio
SMD
Funzione
di raddrizzamento
Specifiche elettriche
ad alta densità
Caratteristiche tecniche
a recupero veloce
Tensione inversa

600 V

Descrizione

- Corrente media di andata: IF (AV) = 0,5 A - Tensione di picco in avanti: VFM = 3 V (max) - Tempo di recupero inverso molto rapido: trr = 100 ns (max.) - Pacchetto piccolo e sottile, adatto all'assemblaggio di schede ad alta densità Soprannome di Toshiba: "S-FLATTM" L'uso continuo sotto carichi pesanti (ad esempio, l'applicazione di temperature/correnti/tensioni elevate e variazioni significative della temperatura, ecc.) può causare una significativa riduzione dell'affidabilità di questo prodotto, anche se le condizioni operative (ad esempio, temperatura di esercizio/corrente/tensione, ecc.) rientrano nei valori nominali massimi assoluti. Si prega di progettare l'affidabilità appropriata dopo aver esaminato il manuale sull'affidabilità dei semiconduttori Toshiba ("Precauzioni per la manipolazione"/Concetti e metodi di derivazione) e i singoli dati sull'affidabilità (ad esempio, il rapporto del test di affidabilità e il tasso di guasto stimato, ecc)

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.